STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650 V 80 A HB-Baureihe IGBT
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A IGBT der Serie HB enthält zwei IGBTs und Dioden in einem kompakten, robusten, oberflächenmontierten Gehäuse. Der STGSH80HB65DAG IGBT von STMicroelectronics ist für eine weiche Kommutierung optimiert, wodurch Leitungs- und Schaltverluste minimiert werden. Jeder Schalter enthält eine Freilaufdiode mit geringem Abfall, wodurch er sich ideal für effiziente Resonanz- und Soft-Switching-Anwendungen eignet.
Merkmale
- AQG-324-qualifiziert
- Hochgeschwindigkeits-Schaltbaureihe
- TJ = 175 °C maximale Sperrschichttemperatur
- Niedrige VCE(sat) = 1,7 V (typ.) bei IC = 80 A
- Reduzierter Nachlaufstrom
- Enge Parameterverteilung
- Niedriger thermischer Widerstand dank DBC-Substrat
- Positiver Temperaturkoeffizient VCE(sat)
- Sanfte und antiparallele Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode
- Nennisolierung von 3,4 kVrms/min
Applikationen
- DC/DC-Wandler für EV/HEV
- On-Board-Ladegerät (OBC)
Schaltplan und Pin-Beschreibung
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Veröffentlichungsdatum: 2023-10-24
| Aktualisiert: 2024-01-21