STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9 Leistungs-MOSFET
Der Leistungs-MOSFET STP60N043DM9 MDmesh DM9 von STMicroelectronics wurde für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs entwickelt und zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) pro Fläche in Verbindung mit einer Fast-Recovery-Diode aus. Das Gerät nutzt die innovative Super-Junction-MDmesh-DM9-Technologie, die einen Multi-Drain-Fertigungsprozess bietet, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht.
Der Leistungs-MOSFET STP60N043DM9 MDmesh DM9 von STM zeichnet sich durch eine sehr geringe Erholungsladung (Qrr), Erholungszeit (trr) und RDS(on) aus. Mit diesen Merkmalen ist der schnell schaltende Super-Junction-Power-MOSFET für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenschieberwandler geeignet.
Merkmale
- Schnelle Freilauf-Bodydiode
- Hervorragender RDS(on) pro Fläche unter den Si-basierten Fast-Recovery-Bauteilen
- Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und geringer Widerstand
- 100 % Avalanche-getestet
- Extreme dv/dt-Robustheit
Applikationen
- Netzteile und Wandler
- LLC-Resonanzwandler
Typische Applikation
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Veröffentlichungsdatum: 2022-05-18
| Aktualisiert: 2026-01-21