STMicroelectronics AS11P2TLR, AS21P2TLR Analoge Schalter
Die AS11P2TLR, AS21P2TLR von STMicroelectronics sind einzelne/duale analoge Hochgeschwindigkeits-CMOS-Niederspannungs-SPDT- (Single-Pole Doublethrow) Schalter oder 2:1 Multiplexer/Demultiplexer-Schalter, hergestellt unter Verwendung der Silizium-Gate-C²MOS-Technologie. Mit schneller Schaltgeschwindigkeit, Verzögerungszeit am Wechsler mit Unterbrechung und extrem niedrigem Stromverbrauch sind die AS11P2TLR, AS21P2TLR ideal für mobile Anwendungen. Alle Eingänge und Ausgänge sind mit Schutzschaltungen ausgestattet, um gegen statische Entladung zu schützen, indem sie ESD-Festigkeit und transiente Überspannung liefern.
All inputs and outputs of the AS21P2TLR are equipped with protection circuits against static discharge, giving the device immunity from electrostatic discharge (ESD) and transient excess voltage.
The STMicroelectronics AS21P2TLR Analog Switch is offered in a compact 1.8mm x 1.4mm QFN10L package, ideal for space-constrained applications.
Merkmale
- AS11P2TLR Features
- High speed:
- tPD= 130ps (typ.) at VCC= 3.0V
- tPD= 140ps (typ.) at VCC= 2.3V
- Ultra low power dissipation:
- ICC= 0.2µA (max.) at TA= 85°C
- Low ON resistance:
- RON= 1.0Ω (typ.) at VCC= 4.5V
- RON= 1.2Ω (typ.) at VCC= 3.0V
- RON= 2.0Ω (typ.) at VCC= 1.8V
- Wide operating voltage range:
- VCC(opr.) = 1.65 to 4.5V single supply
- 5V tolerant and 1.8V compatible threshold ON digital control input at VCC= 1.65 to 4.5V
- Latch-up performance exceeds 200mA per JESD 78, Class II
- ESD performance tested per JESD 22:
- 2000V human-body model (A114-B, Class II)
- 200V machine model (A115-A)
- 1000V charged-device model (C101)
- High speed:
- AS21P2TLR Features
- Ultra low power dissipation: ICC= 0.2µA (max.) at TA= 85°C
- Low ON resistance VIN= 0V:
- RON= 0.50Ω (max. TA= 25 °C) at VCC= 4.3V
- RON= 0.50Ω (max. TA= 25 °C) at VCC= 3.6V
- Wide operating voltage range: VCC (OPR) = 1.65 to 4.3V single supply
- 4.3V tolerant and 1.8V compatible threshold on digital control input at VCC= 2.3 to 4.3V
- Latch-up performance exceeds 300mA (JESD 17)
- ESD performance: HMB > 2kV (MIL STD 883 method 3015)
Applikationen
- Wearables
- Activity trackers
- Smartwatches
- Smartglasses
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