EPCOS / TDK EP9 IGBT-Gate-Drive-Transformatoren

Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 von EPCOS/TDK sind kompakte Bauteile, die auf einem MnZn-Ferritkern in SMD-L-Pin-Bauweise aufgebaut sind.Diese Transformatoren bieten eine ausgezeichnete Isolierung, minimale Kopplungskapazität und eine hohe thermische Widerstandsfähigkeit. Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 unterstützen Halbbrücken- oder Push-Pull-Topologien. Diese Transformatoren zeichnen sich durch eine geringe Kopplungskapazität von 2 pF und eine Luftstrecke von ≥ 5 mm (kumulativ und Kern schwebend) aus. Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 arbeiten in einem Frequenzbereich von 100 kHz bis 400 kHz und einem Temperaturbereich von -40 °C bis 150 °C. Diese Transformatoren sind RoHS-konform und AEC-Q200-qualifiziert. Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 sind speziell für IGBT- und FET-Gate-Treiber-Schaltungen ausgelegt. Zu den typischen Applikationen gehören isolierte DC/DC-Wandler, isolierte AC/DC-Wandler und Gate-Treiber-Schaltungen.

Merkmale

Niedrige Kopplungskapazität von 2 pF
Hohe Testspannung: 2500 V_AC (50 Hz, 1 Sekunde; V_AC)
Betriebsfrequenzbereich: 100 kHz bis 400 kHz
B82804E0164A200
- Halbbrücken-Topologie
- Windungsverhältnis 1:2,8:1,53
B82804E0473A200
- Push-Pull-Topologie
- Windungsverhältnis 1:2,9:1

Kriech- und Luftstrecke > 5 mm (kumulativ und Kern schwebend)
-40 °C bis 150 °C Betriebstemperaturbereich
Footprint von 13 mm x 11 mm
In Gurtverpackung erhältlich
RoHS-konform
AEC-Q200-qualifiziert Rev. E

Applikationen

IGBT-/MOSFET-Gate-Drive-Transformatoren für Wechselrichtersysteme
Push-Pull-Wandler
E-Mobilität und industrielle Anforderungen mit 500 V Systemspannung

Hilfstransformator für DC/DC-Wandler
DC/DC-Netzteile

Muster-Kit

Das B82804X0001 Musterkit ist ein EP9 L-Pin-Kit für einen IGBT-Gate-Treiber-Transformator. Dieses Kit wird in einem Temperaturbereich von -40 °C bis 150 °C betrieben und ist AEC-Q200-qualifiziert. Das B82804X0001 Musterkit wird in Universal-Fahrzeuganwendungen verwendet.