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Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

Die 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs von Texas Instruments wurden entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten. Diese MOSFETs sind Feldeffekttransistoren in einem Kunststoffgehäuse mit niedriger Gate-Schwellenspannung und niedriger Eingangskapazität. Die 2N7002L n-Kanal-MOSFETs zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 6 V, eine Gate-Source-Spannung von 7 V, einen Quellenstrom von 1,4 A und einen gepulsten Drainstrom von 1,43 A (tp = 1 s) aus. Diese MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -65 °C bis 150 °C und beinhalten eine Löttemperatur von 260 °C. Typische Applikationen sind Unterhaltungselektronik, Gebäudeautomation und Industrieautomatisierung.

Merkmale

  • Niedriger On-Widerstand
  • Niedrige Gate-Schwellenspannung
  • Niedrige Eingangskapazität
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • 2 kV Gate-Source-ESD-Einstufung

Applikationen

  • Persönliche Elektronik
  • Gebäudeautomation
  • Industrieautomatisierung

Technische Daten

  • 6 V Drain-Source-Spannung
  • 7 V Gate-Source-Spannung
  • Drainstrom:
    • 1,4 A bei TA = 25 °C
    • 437 mA bei TA = 85 °C
  • 1,4 A Quelle Strom
  • Gepulster Drainstrom (tp = 1 s): 1,43 A
  • 260 °C Löttemperatur
  • -65 °C bis 150 °C Betriebs-Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich

Vereinfachtes Blockdiagramm

Blockdiagramm - Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

Typische Applikation mit 2N7002L

Applikations-Schaltungsdiagramm - Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2026-05-12 | Aktualisiert: 2026-05-18