Texas Instruments UCC21751-Q1 GATE-Treiber
Der Texas Instruments UCC21751-Q1 Gate-Treiber ist ein verstärkt isoliertes Quellen-/Senken-Einkanal-Bauteil für SiC/IGBTs mit aktivem Schutz. Bei diesem Gerät handelt es sich um einen galvanisch getrennten Einkanal-GATE-Treiber, der für SiC-MOSFETs und IGBTs bis zu 2.121 V DC ausgelegt ist. Der UCC21751-Q1 GATE- Treiber arbeitet mit Spannung und verfügt über fortschrittliche Schutzfunktionen, erstklassiges dynamisches Betriebsverhalten und Robustheit. Dieser GATE- Treiber verfügt über modernste Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Überstrom- und Kurzschlusserkennung, Unterstützung für die Shunt-Strommessung, Fehlermeldung und aktive Miller-Klemme. Der UCC21751-Q1 GATE- Treiber hat einen Spitzenstrom von bis zu ±10A (Quelle und Ableitvorrichtung). Das Gerät UCC21751-Q1 ist gemäß AEC-Q100 für Fahrzeuganwendungen zugelassen. Dieser Gate-Treiber ist ideal für einen Traktionswechselrichter für Elektrofahrzeuge, ein On-Board-Ladegerät und eine Ladesäule sowie einen DC/DC-Wandler für HEV/EVs.Merkmale
- Isolierter Einkanal-Gate-Treiber von 5,7 kVRMS
- AEC-Q100 für Fahrzeuganwendungen zugelassen
- Gerätetemperaturklasse 1 -40 °C bis 125 °C UmgebungsBetriebstemperaturbereich
- SiC MOSFETs und IGBTs bis zu 2121 Vpk
- Maximale Ausgangsantriebsspannung von 33V (VDD – VEE)
- Ansteuerstärke ±10 A und geteilter Ausgang
- Mindestens 150V/ns CMTI
- Anschwingzeit von 200 ns, schneller DESAT-Schutz
- 4 A interner aktiver Miller-Klemmschalter
- 400 mA sanfter Abschaltvorgang bei einem Defekt
- Isolierter analoger Sensor mit PWM- Ausgang für:
- Temperatursensorik mit NTC, PTC oder thermischer Diode
- Hochspannungs-DC-Link oder Phasenspannung
- Alarm FLT bei Überstrom und Reset von RST/EN
- Schnelle Aktivierungs- und Deaktivierungsreaktion auf RST/EN
- Lehnt <40 ns="" lange="" rauschstöße="" und="" impulse="" an="" den="" eingangspins="">40>
- 12 V VDD UVLO mit Power-Good auf RDY
- Ein-/Ausgänge mit Überspannungs-/Unterspannungs-Störfestigkeit bis 5 V
- 130 ns (maximale) Ausbreitungsverzögerung und 30 ns (maximaler) Impuls-/Teilversatz
- SOIC-16 DW-Gehäuse mit Luftstrecke und Abstand >8 mm
- Betriebstemperaturbereich zwischen -40 °C und 150 °C
- Sicherheitsbezogene Zertifizierungen, UL- 1577 Bauteil-Zertifizierungsprogramm
Applikationen
- Wechselrichter für Elektrofahrzeuge
- On-Board-Ladegerät und -Ladestapel
- DC/DC-Wandler für HEV/EVs
Blockdiagramm
Schaltschema
Lebensdauerprognose von verstärkter Isolierung
Veröffentlichungsdatum: 2026-04-06
| Aktualisiert: 2026-04-09
