Toshiba Diskrete Solid-State-Drive-Lösungen (SSD)

Toshiba  Diskrete Solid-State-Drive-Lösungen (SSD) verfügen über ein großes Produktangebot, das die neuesten Anforderungen mit TVS, Schottky-Barriere-Dioden (SBD), LDOs, Lastschalter-ICs und dem neuen leistungsstarken eFuse-IC erfüllt. Diese SSDs  können Daten schneller analysieren als herkömmliche Festplattenlaufwerke (HDD). Während die SSD-Technologie sich verbessert, wird eine Leistungsschaltung erforderlich sein, welche die zunehmend strengen Leistungsanforderungen zusammen mit einem Schutz, der wichtige Daten vor Ausfällen schützt, erfüllt.  Toshiba bietet eine große Auswahl von Lastschaltern und MOSFETs für die Steuerung von Leistungseingängen, Schutz-ICs und Dioden, die für den Umgang mit abnormalen Eingangsleistungsbedingungen und Überspannungen während des Hotplugs ausgelegt sind.

Merkmale

  • Bietet eine robuste Leistungsschutzlösung in einem kleinen Bereich
  • Aufrechterhaltung eines niedrigen Einschaltwiderstands, um eine minimale Wärme zu erzeugen
  • Erhöhung der Wärmeableitungsfähigkeiten mit effizienten Gehäusen
  • Applikationshinweise und weiteres Material zur Unterstützung des Designs
  • Unterstützung bei neuen Schutzstandards (IEC-62368-1 und weitere) mit eFuse

Blockdiagramm

Toshiba Diskrete Solid-State-Drive-Lösungen (SSD)

Leistungsschutz-Schaltungslösung

Externe elektrostatische Entladung (ESD), abnormale Stromversorgungseingänge und Überspannungen während des Hot-Swap-Vorgangs verursachen häufig Probleme für Systeme. Um wertvolle Daten und PMICs vor diesen Schäden zu schützen, ist eine Kombination aus eFuse-IC, ESD-Schutzdioden, Zener-Dioden und Schottky-Barriere-Dioden sehr wirksam.

Der eFuse-IC von Toshiba implementiert verschiedene Schutzfunktionen, wie z. B. eine extrem schnelle Kurzschluss-Sicherung und einen Überstrom-, Überspannungs- und Einschaltstrom-Unterdrückung in einem Gehäuse. Darüber hinaus ist es aufgrund der Übernahme von IEC62368-1 (G.9) möglich, eine einfachere und stärkere Schutzschaltung als zuvor bereitzustellen.

Darüber hinaus können ESD-Schutzdioden oder Zener-Dioden mit hohem IPP zur Unterdrückung von ESD-Überspannungen und Transientenspannungen von mehreren ns bis ms verwendet werden. Durch die Kombination mit SBDs kann eine robustere Schutzschaltung erzeugt werden, die als Maßnahme gegen negative Spannung und zur Verhinderung von Sperrstrom dient.

Leistungsschutz – BLOCKDIAGRAMM

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Leistungsverteilungs-Schalterlösung

Die Auswahl eines Leistungsschalters und eines LDOs für Spannungsumwandlungen ist besonders wichtig für die Niederspannungs-/Hochstrom-Leistungssteuerung.

In einigen Fällen erfüllen Niederspannungsleitungen nicht die Mindestspannungsanforderungen für viele gängige Lastschalter. Empfohlen wird der TCK207AM Lastschalter-IC, der bei nur 0,75 V für Niederspannungs-Stromversorgungsschalter betrieben wird. Darüber hinaus verfügt das Bauteil über einen niedrigen Einschaltwiderstand von 21 mΩ und kann bis zu 2,0 A ausgeben. Der kleine MOSFET von Toshiba mit niedrigem Einschaltwiderstand wird ebenfalls empfohlen und ist in verschiedenen Gehäusen und Konfigurationen verfügbar.

Wenn die Stromschiene selbst nicht ausreicht, wird ein LDO-Regler empfohlen. Zum Beispiel verfügt die TCR3U-Baureihe von LDOs mit geringer Leistungsaufnahme über eine große Ausgangsspannung von 0,8 V bis 5,0 V mit geringem Stromverbrauch. Verschiedene integrierte Funktionen reduzieren den Ruhestrom und verbessern das Einschwingverhalten.

Die große Strom-LDO der TCR15AG-Baureihe nutzt die Dual-Stromversorgungstechnologie und kann bis zu 1,5 A mit einer großen Ausgangsspannung von 0,6 V bis 3,6 V mit einer extrem niedrigen Dropout-Spannung ausgeben. LDO-Regler eignen sich hervorragend und bieten sehr genaue Spannungsschienen mit minimalem Dropout und passen nahezu zu jedem Design.

Leistungsverteilung – Blockdiagramm

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
SSM3K35AMFV,L3F SSM3K35AMFV,L3F Datenblatt MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
TCKE800NA,RF TCKE800NA,RF Datenblatt Hot Swap-Spannungscontroller eFuse IC, Auto retry, Vin: 4.4V-18V, 5A, Ron: 28mOhm, Adjustable SRC
TCR3UG33A,LF TCR3UG33A,LF Datenblatt LDO Spannungs-Regulator LDO Linear Voltage Regulator .3A 3.3V
TCKE805NL,RF TCKE805NL,RF Datenblatt Hot Swap-Spannungscontroller eFuse IC, Latch type, 6V Voltage Clamp, Vin: 4.4V-18V, 5A, Adjustable OCP
TCK206G,LF TCK206G,LF Datenblatt Leistungsschalter IC - Leistungsverteiler PC Load Switch IOUT:2A VIN:0.75-3.6
TCR15AG10,LF TCR15AG10,LF Datenblatt LDO Spannungs-Regulator
TCKE812NA,RF TCKE812NA,RF Datenblatt Hot Swap-Spannungscontroller eFuse IC, Auto retry, 15.1V Voltage Clamp, Vin: 4.4V-18V, 5A, Ron: 28mOhm, Adjustable OCP
DF2B5M4CT,L3F DF2B5M4CT,L3F Datenblatt ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden ESD protection diode .3pF 5.0V
SSM3J338R,LF SSM3J338R,LF Datenblatt MOSFETs Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A
SSM3K324R,LF SSM3K324R,LF Datenblatt MOSFETs N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
Veröffentlichungsdatum: 2020-06-03 | Aktualisiert: 2024-11-15