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Vishay Siliconix EF-Serie Hochleistungs-MOSFETs

Vishay Siliconix EF-Serie Hochleistungs-MOSFETs

Die EF-Serie Hochleistungs-MOSFETs der EF-Serie von Vishay Siliconix sind 600 V Super-Junction n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit einer On-Widerstand-Reduzierung von 30 % (im Vergleich mit den MOSFETs der S-Serie). Sie umfassen einen schnellen Body-Dioden-MOSFET basierend auf der Technologie der E-Serie, eine reduzierte Trr/Qrr/Irrm, einen niedrigen FOM, eine niedrige Eingangskapazität, geringe Schaltverluste aufgrund des reduzierten Qrr, eine sehr niedrige Gate-Ladung und sind UIS (Avalanche Energy Rated). Typische Anwendungen umfassen Server- und Telekom-Netzteile, Beleuchtung, Industrie, Batterieladegeräte, erneuerbare Energie und SMPS.
Merkmale
  • Schnelles Body-Dioden-MOSFET basierend auf der Technologie der E-Serie
  • Reduzierte Trr/Qrr/Irrm
  • Niedriger FOM
  • Niedrige Eingangskapazität, geringer Schaltverlust aufgrund des reduzierten Qrr
  • Sehr niedrige Gate-Ladung
  • UIS (Avalanche Energy Rated)
Anwendungsbereiche
  • Telekommunikation (Server- und Telekom-Netzteile)
  • Beleuchtung (High Intensity Discharge, Fluorescent Ballast Lighting)
  • Verbraucher und Computer (ATX-Netzteile)
  • Industrie (Löten, Batterieladegeräte)
  • Erneuerbare Energie (solare PV-Inverter)
  • Schaltnetzteile (SMPS)
Teile-Nr.Gehäuse/HülleVds - Drain-Source-DurchschlagspannungId - Drain-GleichstromRds On - Drain-Source-WiderstandQg - Gate-LadungPd - VerlustleistungDatenblatt








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Veröffentlichungsdatum: 0001-01-01 | Aktualisiert: 0001-01-01