Vishay Semiconductors Halbbrücken-IGBTs

Vishay Semiconductors   Halbbrücken-IGBTs verfügen über die Trench-IGBT-Technologie und Stromwerte von 100 A, 150 A und 200 A. Diese IGBTs verfügen über geringe Leitungsverluste, eine niedrige thermische Sperrschicht-zu-Gehäuse-Reduzierung und eine direkte Montage am Kühlkörperdesign. Halbbrücken-IGBTs bieten antiparallele FRED Pt ® -Dioden der 4. Gen. mit extrem sanften Sperrverzögerungseigenschaften. Die Halbbrücken-IGBTs von Vishay Semiconductors sind für Hochstrom-Wechselrichterstufen, wie z. B. AC-TIG-Schweißmaschinen optimiert.