Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs
Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs aus. Darüber hinaus bieten diese MOSFETs einen maximalen Leistungsverlust von 208 W (Tc = 25 °C) und einen Dauersenkenstrom von 51 A (Tc = 25 °C). Die MXP075 MaxSiC 750-V-n-Kanal-MOSFETs von Vishay Semiconductors sind halogenfrei und in einem TO-247AD-4L-Gehäuse untergebracht. Diese MOSFETs werden von Benutzern in Ladegeräten, Hilfsmotorantrieben und DC/DC-Wandlern verwendet.
Merkmale
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Kurzschlussfestigkeit: 3 µs
- Drain-Source-Spannung: 750 V
- Maximaler Leistungsverlust (TC = 25 °C): 51 A
- Dauersenkenstrom (TC = 25 °C) von 208 W
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich zwischen –55 °C und +175 °C
- Blei- und halogenfrei
- Erhältlich in einem TO-247AD-4L-Gehäuse
- RoHS-konform
Applikationen
- Automotive-On-Board-Ladegerät
- Automotive-DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge/Hybridfahrzeuge
- Hauptwechselrichter (Elektroantrieb)
- Solarwechselrichter
- DC/DC-Wandler
- Energiespeicheranlagen
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
Pin-Diagramm
Veröffentlichungsdatum: 2026-06-03
| Aktualisiert: 2026-06-19