Vishay Semiconductors Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

Diese Geräte unterstützen hohe Sperrschichttemperaturen von bis zu +175 °C und gewährleisten einen stabilen Betrieb in rauen thermischen Umgebungen, wie sie in Industrie-, Automobil- und erneuerbaren Energiesystemen vorherrschen. Der positive Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung ermöglicht eine einfache Parallelschaltung und verbessert somit die Skalierbarkeit und den Wärmeausgleich in Hochstrom-Designs.

Die auf Langlebigkeit ausgelegten SiC-Schottky-Dioden von Vishay zeichnen sich durch einen geringen Leckstrom, eine hohe Stoßstromfestigkeit und extrem geringe Schalt- und Leitungsverluste aus. Diese Eigenschaften maximieren die Effizienz in AC/DC PFC-Stufen, Hochfrequenz-Gleichrichtern, LLC-Resonanz-Wandlern, DC/DC-Wandlern, USV-Systemen, Telekommunikationsinfrastrukturen, Server-Netzteilen und Solar-Wechselrichterplattformen.

Diese Dioden sind in einer großen Auswahl von Nennströmen (von 4 A bis 200 A) und Sperrspannungsfestigkeiten von bis zu 650 V erhältlich. Sie bieten Flexibilität für verschiedene Leistungsstufen. Das D²PAK 2L (TO-263AB 2L) Gehäuse ermöglicht die nahtlose Integration in Designs mit kleinem Formfaktor oder in industrielle Hochleistungsbaugruppen.

Bei der gesamten Produktfamilie legt Vishay Wert auf langfristige Zuverlässigkeit und bietet AEC-Q101-qualifizierte Varianten, eine RoHS-konforme Bauweise, halogenfreie Materialien und UL-zugelassene Moduloptionen an. Diese Eigenschaften machen die Dioden für unternehmenskritische Applikationen gut geeignet, die eine lange Lebensdauer, thermische Stabilität und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.