Vishay Semiconductors K857 Silizium-PIN-Fotodioden
Vishay Semiconductors K857 Silizium-PIN-Fotodioden sind 4-Quadranten-Fotodetektoren mit einer aktiven Fläche von 1,6 mm2/Quadrant, die in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse erhältlich sind. Diese Fotodioden werden in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C betrieben und sind in Abmessungen von 4,72 mm (L) x 4,72 mm (B) x 0,75 mm verfügbar. Die K857 Fotodioden verfügen über einen typischen Dunkelsperrstrom von 1 nA bis 10 nA (max.). Diese Automobilstandard-Fotodioden sind AEC-Q101-qualifizierte, halogenfreie, bleifreie und RoHS-konforme Dioden.
Die K857PE Si-Pin-Fotodiode verfügt über die epitaktische Technologie und bietet eine hohe Lichtempfindlichkeit. Diese Fotodiode verfügt über eine maximale Durchlassspannung von 1,3 V und eine Sperrspannung von 20 V. Die K857PE Fotodiode bietet einen spektralen Bandbreitenbereich von 690 nm bis 1.050 nm, eine Spitzenempfindlichkeit von 840 nm und eine Anstiegs- und Abfallzeit von 30 ns.
Die K857PH Si-Pin-Fotodiode verfügt über eine homogene Technologie. Diese Fotodiode verfügt über eine Durchlassspannung von 1,5 V (max.) und eine Sperrspannung von 10 V. Die K857PH Fotodiode bietet einen spektralen Bandbreitenbereich von 710 nm bis 1.100 nm, eine Spitzenempfindlichkeit von 950 nm sowie eine Anstiegszeit von 3,9 µs und eine Abfallzeit von 2,5 µs.
Merkmale
- Oberflächenmontierbare Gehäuseausführung
- Epitaxietechnologie
- Homogene Technologie
- Betriebs- und Lagertemperaturbereich: -40 °C bis +110 °C
- Löt-Temperatur: 260 °C
- Dunkelsperrstrom: 1 nA (typisch) bis 10 nA (max.)
- Abmessungen: 4,72 mm(L) x 4,72 mm(B) x 0,75 mm(H)
- AEC-Q101-qualifiziert
- Hohe Lichtempfindlichkeit
- Halogenfrei
- Bleifrei
- RoHS-konform
Technische Daten
- K857PE Fotodiode:
- Sperrspannung: 20 V
- Maximale Durchlassspannung: 1,3 V
- Spektraler Bandbreitenvereich: 690 nm bis 1.050 nm
- Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 840 nm
- Anstiegs- und Abfallzeit: 30 ns
- K857PH Fotodiode:
- Sperrspannung: 10 V
- 1,5 V maximale Durchlassspannung
- Spektraler Bandbreitenbereich: 710 nm bis 1.100 nm
- Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 950 nm
- Anstiegszeit von 3,9 μs und Abfallzeit von 2,5 μs
Leistungsdiagramme
Mechanische Abmessungen
