Vishay Semiconductors Si7540ADP n- und p-Kanal-MOSFET

Der Si7540ADP n- und p-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductors nutzt die TrenchFET® -Technologie und Trenchstrukturen, die in das Halbleitermaterial eingeätzt werden, um die Leistung und den Wirkungsgrad zu verbessern. Mit einem thermisch verbesserten PowerPAK® -Gehäuse bietet dieser MOSFET eine verbesserte thermische Leistung und einen zuverlässigen Betrieb unter Hochleistungsbedingungen. Der Si7540ADP n- und p-Kanal-MOSFET ist 100 % Rg-getestet. Dieser MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 20 V und wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben. Der Si7540ADP n- und p-Kanal-MOSFET ist bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, synchrone Abwärtswandler, synchrone Gleichrichter, Lastschalter und Motorantriebsschalter.
Vishay Semiconductors Si7540ADP n- und p-Kanal-MOSFET

Technische Daten

  • TrenchFET® -Technologie
  • Thermisch verbesserter PowerPAK®
  • 100 % Rg-geprüft
  • 20 V drain-source-Spannung
  • -55 °C bis 150 °C Betriebstemperaturbereich
  • Bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform

Applikationen

  • DC/DC-Wandler
  • Synchrone Abwärtswandler
  • Synchrone Gleichrichter
  • Lastschalter
  • Motorantriebsschalter

Gehäuseinformationen

Technische Zeichnung - Vishay Semiconductors Si7540ADP n- und p-Kanal-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-21 | Aktualisiert: 2024-02-28