Vishay SiC658A VRPower® Integrierte 50-A-Leistungsstufe
Die Vishay SiC658A VRPower® integrierte 50-A-Leistungsstufe bietet einen hohen Wirkungsgrad und eine hervorragende thermische Leistung, wodurch sie sich hervorragend für Hochstromapplikationen eignet. Mit seiner modernen MOSFET -Technologie sorgt der Vishay SiC658A für optimale Leistungsumwandlung und reduzierte Schaltverluste, was die Zuverlässigkeit von Server- und Computerbranche verbessert. Das Modul verfügt über ein thermisch optimiertes PowerPAK® MLP55-31L-Gehäuse, unterstützt einen Dauerstrom von bis zu 50 A und arbeitet bei hohen Frequenzen von bis zu 1,5 MHz.
Merkmale
- TrenchFET-Technologie
- Low-Side-MOSFET mit integrierter Schottky-Diode
- Nullstromerkennungssteuerung zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei geringer Last
- Niedrige PWM-Laufzeitverzögerung
- Wärmeüberwachung und Fehlermeldung
- Unterspannungssperre
- Überstromschutz
- High-Side-FET-Kurzschlussschutz
- Übertemperaturschutz
Applikationen
- Mehrphasige Spannungseduktionsbauteile (VRD)
- CPU
- GPU
- Speicher
Technische Daten
- Bis zu 1,5 MHz Frequenzbetrieb
- 3,3 V PWM-Logikschaltung mit Tri-State und Unterstützung
- Verbessertes PowerPAK MLP55-31L-Gehäuse
- 50 A Dauernennstrom
- 80 A Spitzen- und 100 A Spitzennennstrom
- 4,5 V bis 24 V Eingangsspannungsbereich
- -40 °C bis +125 °C Betriebstemperaturbereich
Pin-Konfiguration
Typisches Applikationsdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2025-05-06
| Aktualisiert: 2025-06-02