Vishay / Siliconix SiHS90N65E Leistungs-MOSFET
Der Vishay/Siliconix SiHS90N65E Leistungs-MOSFET bietet eine niedrige Gütezahl, eine niedrige Eingangskapazität und eine extrem niedrige Gate-Ladung. Der SiHS90N65E Leistungs-MOSFET verfügt über eine Drain-Quellenspannung von 700 V und ist zur Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten optimiert. Der SiHS90N65E Leistungs-MOSFET von Vishay/Siliconix eignet sich für Server- und Telekommunikations-Netzteile, Beleuchtungs- und Industrieapplikationen.
Merkmale
- Niedrige Gütezahl (FOM) Ron x Qg
- Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
- Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
- Sehr niedrige Gate-Ladung (Qg)
- UIS-bewertet (Avalanche Energy Rated)
Applikationen
- Server- und Telekommmunikations-Netzteile
- Schaltnetzteile (SNT)
- Stromversorgung mit Blindleistungskompensation (PFC)
- Beleuchtung
- Hochdruckentladung (HID)
- Vorschaltgeräte für Leuchtstoffröhren
- Industrie
- Schweißen
- Induktionserhitzer
- Motorantriebe
- Akkuladegeräte
- Erneuerbare Energie
- Solar (PV-Wechselrichter)
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Gehäusetyp
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-05
| Aktualisiert: 2022-03-11