Vishay Semiconductors VS-EBU15006HN4 Ultraschnelle Sanft-Freilaufdiode
Die ultraschnelle Sanft-Freilaufdiode VS-EBU15006HN4 von Vishay Semiconductors ist zur Reduzierung von Verlusten und EMI/RFI in Hochfrequenz-Leistungsregelungssystemen optimiert. Diese Diode verfügt über einen kontinuierlichen Durchlassstrom von 150 A und ihre Sanftheit macht einen Snubber in den meisten Applikationen überflüssig. Die Diode VS-EBU15006HN4 ist AEC-Q101-qualifiziert und wird in einem PowerTab® -Gehäuse geliefert. Diese Diode eignet sich hervorragend für Hochfrequenzschweißen, Leistungswandler und andere Applikationen, bei denen Schaltverluste keinen wesentlichen Anteil an den Gesamtverlusten haben.
Merkmale
- Ultraschnelle Recoveryzeit
- Dauerdurchlassstrom (IF (AV)): 150 A
- Durchschlagspannung (VBR): 600 V
- Reduzierte RFI und EMI
- Betrieb mit höherer Frequenz
- Maximale Sperrschicht-Betriebstemperatur: 175 °C
- Sperrschichtkapazität (CT): 70 pF
- Reduzierter Snubber
- Reduzierte Anzahl an Teilen
- Nur Schraubmontage
- AEC-Q101-qualifiziert
- PowerTab® -Gehäuse
Applikationen
- Hochfrequenz-Schweißen
- Leistungswandler
Gehäuseabmessungen
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2025-03-14
| Aktualisiert: 2025-03-25