Vishay Semiconductors VSLB4940 Infrarot-Sendediode mit hoher Geschwindigkeit

Die Vishay Semiconductors VSLB4940 Infrarot-Sendediode mit hoher Geschwindigkeit eignet sich für den Betrieb mit hohem Impulsstrom. Die VSLB4940 Diode bietet eine Spitzenwellenlänge von 940 nm, eine Strahlungsintensität von 65 mW/sr, einen Abstrahlwinkel von ±22°, eine typische Durchlassspannung von 1,42 V und eine Abfallzeit von 15 ns. Diese Infrarotdiode ist mit der GaAIAs-Multi-Quantum-Well-Technologie (MQW) verfügbar und in einem Klarsicht-Kunststoffgehäuse eingegossen. Die VSLB4940 Infrarotdiode ist in einem bedrahteten T1-Gehäuse mit Abmessungen von ∅3 mm verfügbar. Diese Infrarotdiode ist hervorragend für Applikationen wie z. B. Infrarot-Fernbedieneinheiten, reflektierende Sensoren und Lichtschranken geeignet.

Merkmale

  • Bedrahtetes Gehäuse
  • Hohe Geschwindigkeit
  • Hohe Strahlungsleistung
  • Geringe Durchlassspannung
  • Geeignet für den Betrieb mit hohem Impulsstrom
  • Gute spektrale Anpassung an Silizium-Fotodetektoren (Si)

Technische Daten

  • 940 nm Spitzenwellenlänge (λP)
  • 65 mW/sr Strahlungsintensität
  • ±22° Halbwinkelempfindlichkeit (ψ)
  • ∅3 mm Abmessungen
  • 15 ns Anstiegs- und Abfallzeit
  • 160 mW Verlustleistung
  • 1,42 V Durchlassspannung
  • 100 mA Durchlassstrom
  • Sperrspannung von 5 V
  • 100 °C Sperrschichttemperatur
  • Betriebstemperaturbereich: -25 °C bis 85 °C
  • -40 °C bis 100 °C Temperaturbereich bei Lagerung
  • 260 °C Löt-Temperatur

VSLB4940 Gehäuseabmessungen

Vishay Semiconductors VSLB4940 Infrarot-Sendediode mit hoher Geschwindigkeit
Veröffentlichungsdatum: 2018-05-10 | Aktualisiert: 2023-03-11