Zurück zu Winbond

Winbond HyperRAM® mit geringem Stromverbrauch

Der stromsparende Winbond HyperRAM® ist ein mobiler DRAM mit einem Hochgeschwindigkeits-SDRAM-Bauteil, das intern als 8-Bank-Speicher konfiguriert ist und eine DDR-Architektur (Double Data Rate, DDR) auf dem Befehls-/Adressbus (CA) verwendet. Dieser HyperRAM verfügt über eine niedrige Pinzahl, einen geringen Stromverbrauch und eine einfache Steuerung zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit von Endgeräten. Die neuen IoT-Edge- und Mensch-Maschine-Schnittstellen-Bauteile erfordern neue Funktionen in Bezug auf Größe, Stromverbrauch und Leistung. Diese HyperRAM-Speicherbausteine bieten neue technische Lösungen und sind für den schnellen Aufschwung neuer IoT-Edge- und Mensch-Maschine-Schnittstellen-Bauteile ausgelegt. Diese HyperRAMs bieten eine Leistung von 45 mW bei 1,8 V im Hybrid-Schlafmodus, der sich erheblich vom Standby-Modus des SDRAM unterscheidet. Der HyperRAM unterstützt die HyperBus-Schnittstelle und ist eine Lösung für den schnellen Aufschwung von Fahrzeugelektronik, Industrie 4.0 und Smart-Home-Applikationen.

For IoT applications, various design considerations such as low cost, low power consumption, and computing efficiency must be met to gain widespread adoption in the market. From the overall system design and product life perspective, HYPERRAM™ has become an ideal choice for emerging IoT devices.

Merkmale

  • HyperBus-Schnittstelle
  • Stromversorgung:
    • 1.7V~1.95V
    • 2.7V~3.6V
  • Maximale Taktrate:
    • 166MHz
    • 200 MHz
  • Doppeldatenrate (DDR) von bis zu 333 MT/s oder 400 MT/s
  • Taktgeber:
    • Differentieller Takt (CK/CK-Nr.)
  • Chipauswahl (CS-Nr.)
  • 8-Bit Datenbus (DQ[7:0])
  • Lese-Schreib-Daten-Strobe (RWDS):
    • Bidirektionales Daten-Strobe/Maske
    • Ausgang am Anfang aller Transaktionen, um die Aktualisierungslatenz anzuzeigen
    • Ausgang bei Lesevorgängen als Lesedatenabtastung
    • Eingang bei Schreibvorgängen als Schreibdatenmaske
  • Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +85 °C
  • Konfigurierbare Ausgangstreiberleistung
  • Konfigurierbare Burst-Eigenschaften
  • Gewickelte Burst-Längen:
    • 16 Byte (8 Takte)
    • 32 Byte (16 Takte)
    • 64 Byte (32 Takte)
    • 128 Byte (64 Takte)
  • Stromspar-Modi:
    • Hybrid-Ruhemodus
    • Deep-Power-Down-Funktion

Applikationen

  • Automotive-Elektronik
  • Industrie 4.0
  • Intelligente Haushaltsanwendungen
  • IoT-Geräte
  • Mensch-Maschine-Schnittstellen-Bauteile (HMI)

Blockdiagramm

Blockdiagramm - Winbond HyperRAM® mit geringem Stromverbrauch
Veröffentlichungsdatum: 2020-03-11 | Aktualisiert: 2025-01-06