Wolfspeed CGHV600 6GHz GaN HEMT
Die Cree CGHV600 6GHz Galliumnitrid- (GaN) High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMT) liefern im Vergleich zu Silizium- (Si) oder Galliumarsenid- (GaAs) Transistoren eine überlegene Leistung. Die CGHV600 GaN HEMT bieten höhere Durchlassspannung, höhere gesättigte Elektronendriftgeschwindigkeit und höhere Wärmeleitfähigkeit. Diese Transistoren bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten. Die Bauteile der CGHV600-Serie eignen sich ideal für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Mobilfunk-Infrastruktur und Verstärker der Klasse A, AB sowie Linearverstärker.
The CGHV60040D and CGHV60075D5 6.0GHz GaN HEMTs are offered as bare die. The overall die size of the CGHV60040D is 820μm x 1800μm x 100μm. The overall die size of the CGHV60075D5 is 3000μm x 820μm x 100μm.
Merkmale
- CGHV60040D
- 18dB typical small-signal gain at 4GHz
- 17dB typical small-signal gain at 6GHz
- 65% typical power-added efficiency
- 40W typical PSAT
- 50V operation
- High breakdown voltage
- Up to 6GHz operation
- 820μm x 1800μm x 100μm bare die
- CGHV60075D5
- 19dB typical small-signal gain at 4GHz
- 17dB typical small-signal gain at 6GHz
- 65% typical power-added efficiency
- 75W typical PSAT
- 50V operation
- High breakdown voltage
- Up to 6GHz operation
- 3000μm x 820μm x 100μm bare die
Applikationen
- 2-way private radio
- Broadband amplifiers
- Cellular infrastructure
- Test instrumentation
- Class A, AB, and linear amplifiers for OFDM, W-CDMA, EDGE, and CDMA waveforms
CGHV60040D Mechanical Drawing
CGHV60075D5 Mechanical Drawing
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Veröffentlichungsdatum: 2015-03-18
| Aktualisiert: 2022-03-11