Wolfspeed HM3 Hochleistungs-Halbbrückenmodule
Wolfspeed HM3 Hochleistungs-Halbbrückenmodule sind schaltoptimierte Halbbrückenmodule mit niedriger Induktivität aus Vollsiliziumkarbid in einem Footprint mit niedrigem Profil (110 mm x 65 mm x 12,2 mm). Die HM3 Bauelemente implementieren eine schaltoptimierte SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation. Eine leichte, 62 mm kompatible ALSiC-Grundplatte ermöglicht eine Nachrüstung des Systems. Weitere Funktionen umfassen eine Sperrschichtbetriebstemperatur von +175 °C und einen Siliziumnitrid-Isolator mit hoher Zuverlässigkeit. Die HM3 Hochleistungs-Halbbrückenmodule eignen sich hervorragend für Bahn-/Traktions-, Solar-, EV-Ladegerät- und Industrieautomatisierungs-/Prüfapplikationen.
Merkmale
- Leichter, kompakter Formfaktor mit einer kompatiblen leichten AlSiC-Grundplatte von 62 mm ermöglicht eine System-Nachrüstung
- Erhöhter Systemwirkungsgrad aufgrund von niedrigen Schalt- und Leitungsverlusten von SiC
- Materialauswahl mit hoher Zuverlässigkeit
- Geringe Induktivität und niedriges Profil
- Betrieb mit hoher Sperrschichttemperatur (+175 °C)
- Implementiert die schaltoptimierte SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation
- Silizium-Nitrid-Isolator mit hoher Zuverlässigkeit
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung: 1.200 V oder 1.700 V
- Gate-Source-Spannung
- Maximaler Wert: -8 V bis +19 V
- Empfohlener Betriebswert: -4 V bis +15 V
- Maximale virtuelle Sperrschichttemperatur unter Schaltbedingungen: -40 °C bis +175 °C
- MOSFET
- Drain-Source-Durchschlagspannung: 1.200 V oder 1.700 V
- Interner Gate-Widerstand: 0,47 Ω oder 0,8 Ω
- Kapazität
- Eingang: 43,1 nF oder 79,4 nF
- Ausgang: 2,76 nF oder 2,9 nF
- Sperrübertragungskapazität: 70,7 pF bis 90 pF
- Lade
- Gate-zu-Source: 448 nC oder 79,4 nC
- Gate-zu-Drain: 539 nC oder 924 nC
- Gesamt-Gate: 1.990 nC oder 2.724 nC
- Diode
- Sperrverzögerungszeit: 28 ns oder 49 ns
- Sperrverzögerungsladung: 4,5 µC oder 17,0 µC
- Spitzensperrverzögerungsstrom: 270 A oder 540 A
- Modul
- Gehäusewiderstand
- 106.5µΩ M1
- 126.3µΩ M2
- Streuinduktivität: 4,8 nH bis 4,9 nH
- Gehäusetemperatur: +125 °C
- Gewicht: 179 g bis 180 g
- Gehäuse-Isolationsspannung: 4 kV
- Gehäusewiderstand
Applikationen
- Schienenverkehr und Traktion
- Solaranlagen
- EV-Ladegeräte
- Industrieautomatisierung und Prüfungen
Verwandte Gate-Treiber
Wolfspeed HM3 Isolierter Zweikanal-Differential-Gate-Treiber
Für die Verwendung mit den HM3 1.200-V-Hochleistungs-Halbbrückenmodulen optimiert.
Veröffentlichungsdatum: 2020-07-28
| Aktualisiert: 2025-06-20