Nexperia PSC1065K Siliziumkarbid (SIC) -Schottky-Dioden
Die PSC1065K Siliciumcarbid (SiC) Schottky-Diode von Nexperia ist für Leistungsumwandlungsapplikationen mit ultrahoher Leistung, geringen Verlusten und hohem Wirkungsgrad ausgelegt. Die Nexperia PSC1065K SiC-Schottky-Diode ist in einem Real-2-Pin (R2P) TO-220-2 (SOT8021) Leistungs-Kunststoffgehäuse zur Durchsteckmontageuntergebracht. Das Produkt bietet temperaturunabhängiges kapazitives Abschalten, Null-Recovery-Schaltverhalten und einen herausragenden Gütefaktor (QC x VF). Die MPS-Diode (Merged PiN Schottky) verbessert die Robustheit, die sich in einem hohen IFSM ausdrückt.
Merkmale
- Keine Durchlass- und Sperrverzögerung
- Temperaturunabhängige Schaltleistung
- Hervorragende Gütezahl (Qc x VF)
- Hohe IFSM-Fähigkeit
- Hohe Leistungsdichte
- Niedrigere Systemkosten
- System-Miniaturisierung
- Reduzierte EMI
Applikationen
- Schaltnetzteile (SNTs)
- AC/DC- und DC/DC-Wandler
- Batterielade-Infrastruktur
- Server- und Telekommunikations-Netzteil
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
- Photovoltaik-Wechselrichter
Weitere Ressourcen
Gehäusebereich
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Veröffentlichungsdatum: 2023-07-07
| Aktualisiert: 2025-06-20