Nexperia BSH205G2 20V p-Kanal-Trench-MOSFET

Der NXP p-Kanal-Trench-MOSFET ist ein Verbesserungsmodus-Feldeffekt-Transistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Er verwendet die Trench-MOSFET-Technologie und bietet eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr hohe Schaltgeschwindigkeit. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber und Schaltkreisanwendungen.

Merkmale

  • Low threshold voltage
  • Trench MOSFET technology
  • Low on-state resistance
  • Enhanced power dissipation capability of 890mW

Applikationen

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • High-side loadswitch
  • Switching circuits