Zurück zu WeEn Semiconductors

WeEn Semiconductors NXP Hyperschnelle Recovery-Leistungsdioden

Die hyperschnellen Leistungsdioden von NXP wurden entwickelt, um den besten Ausgleich zwischen Durchlassspannung (VF) und Sperrerholzeit (trr) zu erreichen, Leistungsverluste sowohl auf den Dioden als auch auf dem zugehörigen MOSFET zu minimieren und die gesamte Systemleistung in Schaltmodus-Stromversorgungsanwendungen (SMPS) zu maximieren. Sie stellen im Vergleich zur Verwendung der Schottky-Technologie eine kostengünstige Lösung dar.

Merkmale

  • Hyperfast switching frequency
  • Improved high power SMPS efficiency

Applikationen

  • Printer power
  • PDP TV power
  • SMPS for PCs and servers
  • Switching adapters
  • LCD TV and monitor power
View Results ( 43 ) Page
Teilnummer Verpackung/Gehäuse Rückstellungszeit Vf - Durchlassspannung If - Durchlassstrom Datenblatt
BYC15-600PQ TO-220AC-2 22 ns 2.7 V 15 A BYC15-600PQ Datenblatt
BYC8-600,127 TO-220AC-2 19 ns 2 V 8 A BYC8-600,127 Datenblatt
BYC30X-600PSQ TO-220F-2 45 ns 2 V 30 A BYC30X-600PSQ Datenblatt
BYC8-600P,127 TO-220AC-2 19 ns 3.4 V 8 A BYC8-600P,127 Datenblatt
BYC75W-600PT2Q 50 ns 2.2 V 75 A BYC75W-600PT2Q Datenblatt
BYC10-600,127 TO-220-2 55 ns 2.9 V 10 A BYC10-600,127 Datenblatt
BYC5-600,127 TO-220-2 50 ns 2.9 V 5 A BYC5-600,127 Datenblatt
BYC8-1200PQ TO-220AC-2 46 ns 2.4 V 8 A BYC8-1200PQ Datenblatt
BYC30W-600PQ TO-247-2 29 ns 2 V 30 A BYC30W-600PQ Datenblatt
BYC5D-500,127 TO-220AC-2 16 ns 1.5 V 5 A BYC5D-500,127 Datenblatt
Veröffentlichungsdatum: 2015-04-23 | Aktualisiert: 2022-03-11