NXP Semiconductors MRFX1K80 HF-LDMOS-Leistungstransistor
Der MRFX1K80 HF-LDMOS-Leistungstransistor von NXP Semiconductors kombiniert hohe HF-Ausgangsleistung mit überlegener Robustheit und thermischer Leistungsfähigkeit. Der Transistor MRFX1K80 ist für den Einsatz von 1800 W bei 65 V CW (Kontinuierliche Welle) für Applikationen von 1 MHz bis 470 MHz ausgelegt und kann mit einem Spannungs-Stehwellenverhältnis von 65:1 (VSWR) arbeiten. Die Hochspannung des MRFX1K80 HF-LDMOS-Leistungstransistors ermöglicht eine höhere Ausgangsleistung, was dazu beiträgt, die Anzahl der zu kombinierenden Transistoren zu verkleinern, die Komplexität der Leistungsverstärker zu vereinfachen und ihre Größe zu reduzieren. Die Hochspannung senkt auch den Strom im System, begrenzt die Spannungen auf Gleichstromversorgungen und reduziert magnetische Strahlung. Der MRFX1K80 ist auch Pin-to-Pin-kompatibel mit früheren LDMOS-Transistoren von NXP, so dass es HF-Entwicklern möglich ist, bestehende Leiterplatten-Designs (PCB) für eine kürzere Markteinführungszeit wiederzuverwenden. Der MRFX1K80 HF-LDMOS-Leistungstransistor wird in zwei Gehäusetypen angeboten. Der MRFX1K80H befindet sich in einem NI-1230 Luftraum-Keramik-Gehäuse mit einem niedrigen Wärmewiderstand von 0,09 ºC/W. Der MRFX1K80N befindet sich in einem OM-1230 umspritzten Kunststoffgehäuse und bietet typischerweise einen um 30 % niedrigeren thermischen Widerstand.
The high voltage of the MRFX1K80 RF Power LDMOS Transistor enables higher output power, which helps decrease the number of transistors to combine, simplifying power amplifiers complexity and reducing their size. The high voltage also lowers the current in the system, limiting the stresses on DC power supplies and reducing magnetic radiation.
The MRFX1K80 is also pin-to-pin compatible with previous generation NXP LDMOS transistors, making it possible for RF designers to reuse existing printed circuit board (PCB) designs for a shorter time to market.
The MRFX1K80 RF Power LDMOS Transistor is offered in two package types. The MRFX1K80H is housed in a NI-1230 air cavity ceramic package, with a low thermal resistance of 0.09ºC/W. The MRFX1K80N is housed in an OM-1230 Over-Molded plastic package, and will typically offer a 30% lower thermal resistance.
Merkmale
- Based on 65V LDMOS technology
- Wide 1MHz to 470MHz frequency range
- Characterized from 30V to 65V for extended power range
- High breakdown voltage for enhanced reliability and higher efficiency architectures
- High drain-source avalanche energy absorption capability
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
- VSWR >65:1 at all phase angles
- 24dB power gain @ 230MHz (typical)
- 74% Efficiency (typical)
- Low thermal resistance
- RoHS compliant
Applikationen
- Industrial, Scientific, Medical (ISM):
- Laser generation
- Plasma etching
- Magnetic Resonance Imaging (MRI)
- Diathermy, skin laser, RF ablation
- Industrial heating, welding and drying systems
- Particle accelerators
- Broadcast:
- Radio broadcast (FM/DAB)
- VHF TV broadcast
- Aerospace:
- VHF omnidirectional range (VOR)
- HF and VHF communications
- Weather radar
- Mobile Radio:
- VHF base station