onsemi EliteSiC
Onsemi EliteSiC erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen wie solar-Wechselrichter, Elektrofahrzeug-Ladegeräte und Unterbrechungsfreie Stromversorgungen. Die Bauteile umfassen ein umfassendes portfolio von energieeffizienten Siliziumkarbid (SiC) -Dioden, MOSFETs, Modulen und Gate-Treibern.
Merkmale
- Bewährte Qualität/robustes flaches Design
- Prozesssteuerung und Einbrennen
- Fehler beim Scannen während der Herstellung
- 100 % Avalanche-Prüfung aller Einsätze
- Keine Abweichung der Schwellenwerte oder Parameter
- Hochzuverlässiges GATE-Oxid
- AECQ-100-qualifiziert für Fahrzeuganwendungen
- Erstklassige Designtools
- Physikalische und skalierbare präzise Simulationsmodelle
- Applikationshinweise und Designleitfäden
- Vollständig integrierte Herstellung, vom Pulver bis zum Produkt
- Automobil- oder Industriequalität für alle Werte und Pakete
- SiC-Angebot der dritten Generation
- Optimiert für Hochtemperaturbetrieb
- Dioden, niedrige Reihenwiderstand-Temperaturabhängigkeit
- MOSFETs, stabile Sperrverzögerung über Temperatur
- Verbesserte parasitäre Kapazitäten für Hochfrequenz-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad
- Großer Chip mit niedrigem RDS(on) verfügbar
- Optimiert für Hochtemperaturbetrieb
- Großes Angebot an standardmäßigen und benutzerdefinierten leistungsintegrierten Modulen (PIM)
- Großes Portfolio an Spannungen und RSD(on) in 3- und 4-Pin-Gehäusen verfügbar
Vollständige SiC-Lieferkette
Videos
Dioden
onsemi D3 EliteSiC-Dioden
Eine Lösung für Applikationen, die eine Hochleistungs-PFC und Ausgangsgleichrichtung erfordern.
onsemi D2 EliteSiC-Dioden
Eine Reihe von Hochleistungs-Dioden, die für Applikationen ausgelegt sind, die eine Nennspannung von 650 V erfordern.
onsemi D1 EliteSiC-Dioden
Leistungsstarke und vielseitige Lösung, die für moderne Leistungselektronik-Applikationen ausgelegt ist.
MOSFETs
onsemi M3P EliteSiC-MOSFETs
Eine Lösung für Hochspannungsapplikationen mit einer maximalen Nennspannung von 1.200 V.
onsemi M3S EliteSiC-MOSFETs
Lösungen für Hochfrequenz-Schaltanwendungen mit hartgeschalteten Topologien.
onsemi M2 EliteSiC-MOSFETs
Verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1200 V.
onsemi M1-EliteSiC-MOSFETs
Verfügen über Nennspannungen von 1.200 V und 1.700 V.
IGBTs
onsemi FS4-IGBTs
Leistungsstarke und effiziente Lösung für verschiedene Industrie- und Fahrzeuganwendungen.
Verwandte Applikationen
onsemi Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs
Vollständiges Portfolio von Gate-Treibern und EliteSiC-MOSFETs, die, wenn sie gepaart sind, die Wärmeleistung verbessern.
onsemi DC-EV-Schnellladen
Erfüllt die steigenden Anforderungen an effiziente Ladeinfrastrukturen am wachsenden EV-Markt.
onsemi und Würth Elektronik Solar-Wechselrichter-Lösungen
Bauteillösungen zur Erfüllung der Bedürfnisse von anspruchsvollen Applikationen wie Solar-Wechselrichtern.