onsemi NCV57001F IGBT-Gate-Treiber

Der onsemi NCV57001F IGBT-Gate-Treiber ist ein Hochstrom-Einkanal-IGBT-Treiber mit interner galvanischer Trennung, der für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Dieser Gate-Treiber verfügt über komplementäre Eingänge, Open-Drain-FAULT- und Ready-Ausgänge, eine aktive Miller-Klemme, präzise UVLOs, DESAT-Schutz und Sanftabschaltung bei DESAT. Der onsemi NCV57001F IGBT-Gate-Treiber nimmt sowohl 5-V- als auch 3,3-V-Signale auf der Eingangsseite und einen großen Vorspannungsbereich auf der Treiberseite auf und verfügt über eine negative Spannungsbelastbarkeit. Dieser Gate-Treiber bietet eine galvanische Trennung von >5kV_rms (UL1577-Einstufung) und sind >1.200 V_IORM -fähig (Betriebsspannung). Zu den typischen Applikationen gehören Automotive-Netzteile, HEV/EV-Antriebsstrang, BSG-Wechselrichter und Thermistoren mit positivem Temperaturkoeffizient (PTC).