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onsemi NSBAMXW PNP Vorspannungswiderstands-Transistoren

NSBAMXW PNP-Vorspannungswiderstands-Transistoren (BRTs) von onsemi  sind als Ersatz für ein Einzelgerät und das zugehörige externe Widerstands-Vorspannungsnetz konzipiert. Diese PNP-Vorspannungswiderstands-Transistoren enthalten einen Einzel-Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetz, das aus zwei Widerständen besteht: einem Series-Basiswiderstand und einem Basis-Emitter-Widerstand. Die BRTs eliminieren einzelne Bauelemente, indem sie alle in ein Einzelgerät integrieren. Die Verwendung eines BRT reduziert die Systemkosten und den Platzbedarf auf dem Board. NSBAMXW von Theonsemi  sind in einem XDFNW3-Gehäuse untergebracht, das eine überlegene thermische Leistung bietet. Diese Bauteile eignen sich ideal für oberflächenmontierbare Applikationen, bei denen Platz auf dem Board und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind.

Merkmale

  • Integrierte Vorspannungswiderstände
  • Ergänzende NPN-Typen verfügbar (NSBCMXW)
  • Gehäuse XDFNW3 521AC mit einer niedrigen Sitzhöhe von maximal 0,44 mm
  • Gehäuse mit benetzbarer Flanke für eine optimale automatische optische Inspektion (AOI)
  • Klasse 1 B Elektrostatische Entladung (ESD) (HBM)
  • NSV-Präfix für Automotive und andere Applikationen mit einzigartigen Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
  • Bleifrei, Halogenfrei / BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • Digitalschaltungen
  • Steuerungs-IC-Eingänge

Technische Daten

  • -50 V maximale Kollektor-Emitter/-Basis-Spannung
  • 100 mA maximaler Kollektorstrom
  • -100 nA maximaler Kollektor-Basis-Abschaltstrom
  • -500 nA maximaler Kollektor-Emitter-Abschaltstrom
  • -1,5 mA bis -0,2 mA maximaler Emitter-Basis-Abschaltstrombereich
  • -0,25 V maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
  • -0,8 V bis -0,3 V maximaler Eingangsspannungsbereich (aus)
  • -2,4 V bis -1,15 V typischer Eingangsspannungsbereich (ein)
  • 0,2 V maximale Ausgangsspannung (ein)
  • 4,9 V minimale Ausgangsspannung (aus)
  • 6,1 kΩ bis 61,1 kΩ maximaler Vorspannungswiderstandsbereich
  • Wärme-
    • 450 mW maximale Gesamtverlustleistung
    • 145 °C/W thermischer Widerstand Sperrschicht-zu-Umgebung
    • -65 °C bis +150 °C Sperrschichttemperaturbereich

Pin-Verbindungen

Technische Zeichnung - onsemi NSBAMXW PNP Vorspannungswiderstands-Transistoren

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Entwickelt, um ein Einzelgerät und das zugehörige externe Widerstands-Vorspannungsnetz zu ersetzen.

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Veröffentlichungsdatum: 2025-08-29 | Aktualisiert: 2025-09-09