onsemi NSV1C300CT Bipolarleistungstransistor

Der onsemi NSV1C300CT Bipolarleistungstransistor ist eine e2PowerEdge-Produktfamilie von Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung (VCE(Sat)) zur Oberflächenmontage. Dieser PNP-Bipolartransistor verfügt über eine niedrige Sättigungsspannung und eine hohe Stromverstärkungsfähigkeit. Der NSV1C300CT Transistor ist in einem schlanken LFPAK4-Gehäuse von 5 mm x 6 mm untergebracht und enthält benetzbare Flanken, die für die Automotive-Industrie erforderlich sind. Dieser Transistor ist für den Einsatz in Niederspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen ausgelegt, bei denen eine effiziente Energiesteuerung wichtig ist. Der NSV1C300CT Transistor ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Dieser bipolare Leistungstransistor ist bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und Leistungsmanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten, wie z. B. Mobiltelefone und schnurlose Telefone, Digitalkameras und MP3-Player.

Merkmale

  • Ergänzung zu NSS1C301CT="0" tid="0">NST1601CL
  • Schlankes 5 mm x 6 mm LFPAK4-Gehäuse mit benetzbaren Flanken
  • NSV-Präfix für Fahrzeuganwendungen und andere Applikationen mit einzigartigen Platz- und Steueränderungsanforderungen
  • -55 °C bis 150 °C Betriebs- und Lagerübergangstemperaturbereich
  • AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
  • Bauteile sind bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • DC/DC-Wandler und Leistungsmanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten
  • Mobil- und schnurlose Telefone
  • Digitalkameras
  • MP3-Player

Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - onsemi NSV1C300CT Bipolarleistungstransistor
Veröffentlichungsdatum: 2024-09-16 | Aktualisiert: 2024-10-04