onsemi NTMT045N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi NTMT045N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs verwenden eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Die MOSFETs von onsemi bieten einen niedrigen On-Widerstand und eine kompakte Chip-Größe, die eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Zu den Vorteilen dieser Bauteile gehören ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine geringere Systemgröße.

Merkmale

  • Typ. RDS (on) = 33 mΩ bei VGS = 18 V
  • Typ. RDS(on) = 45 mΩ bei VGS = 15 V
  • Ultra-niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 105 nC)
  • Niedrige effektive Ausgangskapazität (COSS = 162 pF)
  • 100 % Avalanche-getestet
  • TJ = 175 °C
  • RoHS-konform

Applikationen

  • SMPS (Stromversorgungen im Schaltmodus)
  • Solarwechselrichter
  • UPS (Unterbrechungsfreie Stromversorgungen)
  • Energiespeicher
Veröffentlichungsdatum: 2022-11-14 | Aktualisiert: 2024-06-19