Zurück zu onsemi

onsemi NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL N-Kanal MOSFETs

Die NTTFD4D0N04HL und NTTFD9D0N06HL n-Kanal-MOSFETs von onsemi sind symmetrische POWERTRENCH®-Leistungsclip-Zweikanal-MOSFETs in einem WQFN12-Gehäuse. Diese Bauteile umfassen zwei spezialisierte n-Kanal-MOSFETs in einem Dual-Gehäuse. Der Schaltknotenpunkt wurde intern verbunden, um ein einfaches Platzieren und Routing der synchronen Abwärtswandler zu ermöglichen. Der Steuerungs-MOSFET (Q2) und der synchrone MOSFET (Q1) sind für einen optimalen Leistungswirkungsgrad ausgelegt. Die NTTFD4D0N04HL und NTTFD9D0N06HL n-Kanal-MOSFETs von onsemi bieten einen niedrigen RDS(on), einen niedrigen QG und eine geringe Kapazität und niedrige Leitungs-/Treiberverluste. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Universal-Punktlast, einphasige Motorantriebe, Computer und Kommunikation.

Merkmale

  • 3 mm x 3 mm WQFN12-Gehäuse
  • Konfiguriert als Halbbrücke zur Reduzierung von Gehäuse-Störungen
  • Niedriger RDS(on)
  • Reduziert Leitungsverluste.
  • Niedriger QG und geringe Kapazität
  • Reduziert Treiberverluste

Applikationen

  • Computerbranche
  • Kommunikation
  • Universal-Punktlast
  • DC/DC-Wandler
  • Einphasen-Motorantriebe
  • DC/DC-Module

Technische Daten

  • NTTFD4D0N04HL
    • Q1: n-Kanal:
      • Max. RDS(on) = 4,5 mΩ bei 10 V GS = 10 V, ID = 10 A
      • Max. RDS(on) = 7 mΩ bei VGS = 4,5 V, ID = 8 A
    • Q2: n-Kanal
      • Max. RDS(on) = 4,5 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 10 A
      • Max. RDS(on) = 7 mΩ bei VGS = 4,5 V, ID = 8 A
  • NTTFD9D0N06HL
    • Q1: n-Kanal
      • Max. RDS(on) = 9 mΩ bei 10 V VGS = 10 A, ID
      • 13 mΩ maximaler RDS(on) bei 4,5 V VGS, 8 A ID
    • Q2: n-Kanal
      • 9 mΩ maximaler RDS(on) bei 10 V VGS, 10 A ID
      • 13 mΩ maximaler RDS(on) bei 4,5 V VGS, 8 A ID

Elektrische Verbindungen

Blockdiagramm - onsemi NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL N-Kanal MOSFETs

Verwandte MOSFETs

onsemi PowerTrench® MOSFETs

Umfangreiches Portfolio von n-Kanal- und p-Kanal-Versionen für eine niedrige RDS(ON)-Schaltleistung.

Learn Moreüber onsemi PowerTrench® MOSFETs View Productsverwandt mit onsemi PowerTrench® MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs

MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen RDS(ON), eine extrem geringe Qg und eine geringe Qg x RDS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM).

Learn Moreüber onsemi Trench8 MOSFETs View Productsverwandt mit onsemi Trench8 MOSFETs
View Results ( 2 ) Page
Teilnummer Datenblatt Beschreibung
NTTFD4D0N04HLTWG NTTFD4D0N04HLTWG Datenblatt MOSFETs T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
NTTFD9D0N06HLTWG NTTFD9D0N06HLTWG Datenblatt MOSFETs T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
Veröffentlichungsdatum: 2020-08-02 | Aktualisiert: 2024-06-12