Qorvo QPD1016L GaN-HF-Transistor
Der Qorvo QPD1016L GaN-HF-Transistor ist ein vorabgestimmter diskreter 500-W -Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-High-Electron-Mobility-Transistor (GaN-auf-SiC-HEMT), der von DC bis 1,7 GHz betrieben wird. Der QPD1016L bietet eine lineare Verstärkung von 18 dB bei 1,3 GHz und verfügt über einen Drain-Wirkungsgrad von 67 % bei 3 dB Kompression. Das Bauteil kann gepulste und lineare Betriebsabläufe unterstützen.
Der QPD1016L GaN-HF-Transistor ist in einem NI-780-Industriestandard-Gehäuse mit Lufthohlraum untergebracht und eignet sich hervorragend für IFF, Avionik, militärischen und zivilen Radar sowie Testmessgeräte. Das QPD1016L-Gehäuse enthält einen Ohrflansch zum Anschrauben.
Merkmale
- Frequenzbereich: DC bis 1,7 GHz
- 537 W Ausgangsleistung (P3 dB) bei 1,3 GHz
- Lineare Gain von 18 dB bei T 1,3 GHz
- 67 % Leistungsverstärkender Wirkungsgrad (PAE) bei 3 dB
- Gesättigte Ausgangsleistung (PSAT): 57,3 dBm
- +50 V Drain-Spannung (VD)
- 1.000 mA Drain-Bias-Strom (IDQ)
- Unterstützt CW- und PWM-Betrieb
- Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +85 °C
- NI-780-Lufthohlraumpaket mit Ohrenflansch
- Halogenfrei, bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Identifizierung Freund oder Feind (IFF)
- Avionik
- Militärisches und ziviles Radar
- Prüfmessgeräte
Development Tools
Qorvo QPD1016LEVB01 Evaluierungsboard
Demonstrations- und Entwicklungsplattform für den GaN-RF-Transistor QPD1016L.
Blockdiagramm
Gehäuseabmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2022-07-11
| Aktualisiert: 2022-07-14