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ROHM Semiconductor R800xxND3FRA n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFETs

ROHM Semiconductor  R800xxND3FRA n-Kanal-Fahrzeug-Leistungs-MOSFETs sind MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einfachen Antriebsschaltungen. Diese MOSFETs verfügen über eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, eine bleifreie Beschichtung und sind AEC-Q101-qualifiziert. Die   R800xxND3FRA MOSFETs sind in DPAK-Gehäusen (TO-252) verfügbar. ROHM Semiconductor  R800xxND3FRA MOSFETs eignen sich für Schaltnetzteile.

Merkmale

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Integrieren einfache Antriebsschaltungen
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Bleifreie Platinierung
  • AEC-Q101-qualifiziert
  • RoHS-konform

Technische Daten

  • R8001CND3FRA
    • 8,7 Ω Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand
    • ±1 AA Dauersenkenstrom
    • 36 W Verlustleistung (PD)
  • R8002CND3FRA
    • 4,3 Ω Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand
    • ±2 AA Dauersenkenstrom
    • 69 W Verlustleistung (PD)
  • R8007AND3FRA
    • 1,6 Ω Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand
    • ±7 AA Dauersenkenstrom
    • 140 W Verlustleistung (PD)
  • Gemeinsamer
    • 800 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
    • Verfügbar in DPAK-Gehäusen (TO-252)
    • -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich

Innere Schaltpläne

ROHM Semiconductor R800xxND3FRA n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFETs

Leistungsdiagramme

Leistungsdiagramm - ROHM Semiconductor R800xxND3FRA n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFETs

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Qg - Gate-Ladung Pd - Verlustleistung
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Veröffentlichungsdatum: 2020-11-18 | Aktualisiert: 2024-10-29