ROHM Semiconductor RJ1N04BBH N-Ch-Leistungs-MOSFET
Der N-Ch-Leistungs-MOSFET RJ1N04BBH von ROHM Semiconductor bietet eine Drain-Source-Spannung von 80 V mit niedrigem On-Widerstand. Das Bauelement bietet einen kontinuierlichen Drainstrom von ±100 A und eine Verlustleistung von 89 W. Das Bauelement RJ1N04BBH eignet sich für viele Anwendungen, einschließlich Schaltanwendungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler. Der MOSFET RJ1N04BBH von ROHM ist in einem Hochleistungs-TO263AB-Gehäuse erhältlich.
Merkmale
- Niedriger On-Widerstand
- Hochleistungs-Gehäuse (TO263AB)
- Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
- Halogenfrei
- 100 % Rg- und UIS-getestet
Applikationen
- Schalten
- Motorantriebe
- DC/DC-Wandler
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung: 80 V
- Statischer Drain-Source-Durchlasswiderstand: 5,3 mΩ
- ±100 AA Dauersenkenstrom
- 89 WW Verlustleistung
Typische Applikation
Messschaltungen
Veröffentlichungsdatum: 2025-03-04
| Aktualisiert: 2025-03-12