ROHM Semiconductor Schottky-Barriere-Dioden
Die Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor verfügen über eine große Auswahl an Bauteilen mit hoher Zuverlässigkeit und geringem Verlust, und sind in verschiedenen Gehäusen erhältlich. Die Schottky-Dioden bieten eine niedrige Durchlassspannung und Sperrstrom mit hohem ESD-Widerstand. Die thermische Instabilität wird selbst bei hohen Temperaturen abgeblockt, wodurch sie sich hervorragend für Automotive-Systeme und Netzteile eignen. Die Dioden sind standardmäßig oder AEC-Q101-qualifiziert. Die RBE-Dioden verfügen über einen verbesserten Wirkungsgrad und eine niedrige VF. Die Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor benötigen 80 % weniger Platz und bieten eine hohe Strombelastbarkeit.
Merkmale
- Hochzuverlässig
- Verbesserter Wirkungsgrad
- Niedrige VF
- Benötigt 80 % weniger Platz
- Hohe Strombelastbarkeit
- Geringe Wärmeentwicklung und geringes Rauschen im Normalbetrieb
- Niedrige Durchlassspannung (VF)
- Hochgeschwindigkeits-Sperrverzögerungszeit (trr)
- Schonende Wiederherstellungseigenschaften gewährleisten einen hocheffizienten Betrieb mit geringen Verlusten
Applikationen
- Rückflussschutz-Schaltungen
- DC/DC-Wandler
Schaltungsapplikation
Platzersparnis – Abbildung
Vergleich des durchschnittlichen gleichgerichteten Stroms
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