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ROHM Semiconductor SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 7-Pin-SiC-Trench-Typ-MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 7-Pin-SiC-Trench-MOSFETs nutzen einen proprietären Trench-Gate-Aufbau, der den Einschaltwiderstand um 50 % und die Eingangskapazität um 35 % im Vergleich zu Planar-SiC-MOSFETs reduziert. Die MOSFETs enthalten einen zusätzlichen Pin, der die Treiber- und Stromwuellen-Pins trennt, wodurch die Auswirkungen der Induktivitätskomponente bei der Reduzierung von Vgs eliminiert und schnellere Schaltgeschwindigkeiten gewährleistet werden. Die Trench-Typ-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über einen hohen Spannungswiderstand, einen niedrigen Einschaltwiderstand, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, einen einfachen Antrieb und eine einfache Parallelschaltung.

Merkmale

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Schnelle Sperrverzögerung
  • Kann einfach parallelgeschaltet werden
  • Einfacher Antrieb
  • Bleifreie Beschichtung von Leitungen
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Solarwechselrichter
  • DC/DC-Wandler
  • Schaltnetzteile
  • Induktionserwärmung
  • Motorantriebe

Technische Daten

  • SCT3xxxAW7
    • Drain-Source-Spannung: 650 V
    • Drain-Source-Einschaltwiderstand (typ.)
      • 30 mΩ (SCT3030AW7), 60 mΩ (SCT3060AW7), 80 mΩ (SCT3080AW7), 120 mΩ (SCT3120AW7)
    • Drain-Strom
      • 70 A (SCT3030AW7), 38 A (SCT3060AW7), 29 A (SCT3080AW7), 21 A (SCT3120AW7)
    • Gesamte Verlustleistung
      • 267 W (SCT3030AW7), 159 W (SCT3060AW7), 125 W (SCT3080AW7), 100 W (SCT3120AW7)
  • SCT3xxxKW7
    • Drain-Source-Spannung: 1.200 V
    • Drain-Source-Einschaltwiderstand (typ.)
      • 40 mΩ (SCT3040KW7), 80 mΩ (SCT3080KW7), 105 mΩ (SCT3105KW7), 160 mΩ (SCT3160KW7)
    • Gleichstrom
      • 56 A (SCT3040KW7), 30 A (SCT3080KW7), 23 A (SCT3105KW7), 17 A (SCT3160KW7)
    • Gesamte Energieverteilung
      • 267 W (SCT3040KW7), 159 W (SCT3080KW7), 125 W (SCT3105KW7), 100 W (SCT3160KW7)

Schaltplan

Applikations-Schaltungsdiagramm - ROHM Semiconductor SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 7-Pin-SiC-Trench-Typ-MOSFETs

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Veröffentlichungsdatum: 2020-10-16 | Aktualisiert: 2024-10-22