STMicroelectronics Intern geklemmte IGBTs nach Automobilstandard

Die intern geklemmten IGBTs nach Automobilstandard von STMicroelectronics verwenden die fortgeschrittene PowerMESH™-Technologie, die für den Spulenantrieb bei rauen Umgebungsbedingungen in Automobil-Zündsystemen ausgelegt ist. Diese Bauteile zeigen eine sehr niedrige Durchlassspannung und eine sehr hohe SCIS-Energiekapazität über einen weiten Betriebstemperaturbereich. Der ESD-geschützte Logikpegel-Gate-Eingang und ein integrierter Gate-Widerstand erfordern keine externe Schutzschaltung.

Merkmale

  • AEC-Q101 qualified
  • SCIS energy of 300mJ @ TJ = 25°C
  • Parts are 100% tested in SCIS
  • ESD gate-emitter protection
  • Gate-collector high voltage clamping
  • Logic level gate drive
  • Very low saturation voltage
  • High pulsed current capability
  • Gate and gate-emitter resistor

Applikationen

  • Automotive ignition coil driver circuit

Block Diagram

Blockdiagramm - STMicroelectronics Intern geklemmte IGBTs nach Automobilstandard
Veröffentlichungsdatum: 2017-10-10 | Aktualisiert: 2022-06-20