STMicroelectronics Leistungs-MOSFETs
Das MOSFET-Portfolio von STMicroelectronics bietet eine große Auswahl von Durchschlagspannungen von -500 V bis 1.500 V mit niedriger Gate-Ladung und geringem Einschaltwiderstand zusammen mit einem hochmodernen Gehäuse. Die Prozesstechnologie von ST für sowohl Hochspannungs- als auch Niederspannungs-MOSFETs verfügt über eine verbesserte Strombelastbarkeit, was zu Lösungen mit hohem Wirkungsgrad führt.
Merkmale
- -500V to 1700V breakdown voltage range
- More than 30 package options for low-voltage to very-high-voltage Power MOSFETs, including
- Breakthrough top-side cooling HU3PAK package allowing higher power density and improved thermal management
- 4-lead TO-247 with dedicated control pin for increased switching efficiency
- H2PAK for high-current capability
- Highly innovative surface-mount leadless TO-LL
- 1mm-high surface-mount PowerFLAT family (2mm x 2mm to 8mm x 8mm) with excellent thermal performance thanks to a large metal drain pad
- Improved gate charge and lower on-state resistance to meet challenging efficiency requirements
- Intrinsic fast body diode option for selected product lines
- Wide portfolio of automotive-grade power MOSFETs
- Application-oriented technologies
Applikationen
- Server and telecom power
- Microinverters
- Fast chargers
- Automotive
- Home and professional appliances
FDmesh
Die STMicroelectronics FDmesh™ Leistungs-MOSFET-Baureihe gehört zur zweiten Generation der MDmesh™-Technologie. Dieser revolutionäre Leistungs-MOSFET verbindet eine neue vertikale Struktur mit dem Streifenlayout des Unternehmens und verbindet alle Vorteile eines reduzierten Einschaltwiderstands und einer schnellen Schaltung mit einer intrinsischen schnellen Freilauf-Bodydiode. Daher eignet sich dieser MOSFET hervorragend für Brückentopologien, insbesondere ZVS-Phasenverschiebungs-Wandler. Produktliste anzeigen
MDmesh
Die proprietären MDmesh-Leistungs-MOSFET-Technologien von STMicroelectronics sind für einen Durchschlagspannungsbereich von 150 bis 650 V optimiert. Mit einem Drainstrom von bis zu 140 A, einem Einschaltwiderstand bis hinunter zu 12 mΩ und optionalen schnellen Freilauf- und/oder Klemmdioden, sind diese Bauteile in einer großen Auswahl von leistungsstarken Gehäusen verfügbar: I2PAK, IPAK, ISOTOP, MLPD4, SO-8, SOT-223, TO-220, TO-247, TO-252, TO-263, TO-92 und VFDFPN-8. Sie sind für SNTs mit hohem Wirkungsgrad, Beleuchtungen und Wechselrichter, Lampenvorschaltgeräte mit Halbbrücken-Konfiguration und DC/DC-Wandlern optimiert. Produktliste anzeigen
STripFET
Die proprietären STripFET™ II, III und V und STripFET DeepGATE Leistungs-MOSFET-Technologien von STMicroelectronics sind für diesen Durchschlagspannungsbereich optimiert. Diese Bauteile verfügen über einen Drainstrom-Bereich von bis zu 480 A und einen Einschwaltwiderstand bis hinunter zu 22 mΩ, eine hohe Avalanche-Robustheit sowie einen optionalen Logikpegel-Antrieb und sind in einer großen Auswahl von Gehäusen erhältlich: H2PAK2, I2PAK, ISOTOP, P2PAK, POLARPAK, PowerSO-10, SO-8, SOT-223, TO-220, TO-247, TO-252, TO-263, TO-92, VFDFPN-8. Diese Bauteile sind für Applikationen optimiert, die von Automotive-Schaltungen und DC/DC-Wandlern bis hin zu Schaltungen mit hohem Wirkungsgrad für das Leistungsmanagement in tragbaren Produkten reichen. Produktliste anzeigen
SuperMESH
Die proprietären SuperMesh™ Leistungs-MOSFET-Technologien von STMicroelectronics sind für einen Durchschlagspannungsbereich von bis zu 1.500 V und einen Drainstrom von bis zu 140 A optimiert. Sie sind zur Reduzierung des Einschaltwiderstands, Optimierung der Schaltleistung und Erhaltung von Hochenergie-Impulsen in Avalanche- und Kommutierungs-Modi ausgelegt. Diese Bauteile sind in einer großen Auswahl von Miniatur- und Hochleistungsgehäusen verfügbar: I2PAK, IPAK, ISOTOP, MLPD4, SO-8, SOT-223, TO-220, TO-247, TO-252, TO-263, TO-3PF, TO-92, VFDFPN-8. Sie sind für SNTs mit hohem Wirkungsgrad, Beleuchtungen und Wechselrichter, Lampenvorschaltgeräte mit Halbbrücken-Konfiguration, Schaltnetzteilen mit sehr großem Wirkungsgrad und DC/DC-Wandlern optimiert. Produktliste anzeigen
Empfohlene Produkte
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Branchenführend niedriger On-Widerstand und geringe Gate-Ladung.
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Verfügt über extrem niedrigen On-Widerstand und revolutionäre MDmesh™ V Leistungs-MOSFET-Technologie mit PowerMESH™.
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Gewährleistet eine sehr gute dv/dt-Fähigkeit für anspruchsvollste Anwendungen.
STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs
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