Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1 Dreiphasige BLDC-Gate-Treiber
DRV8329/DRV8329-Q1 Dreiphasen-BLDC-Gate-Treiber von Texas Instruments bieten drei Bauteile, die jeweils High-Side- und Low-Side-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern können. Die DRV8329-Treiber erzeugen die richtigen Gate-Treiber-Spannungen mit einer internen Ladungspumpe und verbessern die High-Side-MOSFETs mit einer Bootstrap-Schaltung. Darüber hinaus ist eine Erhaltungsladungspumpe enthalten, um ein 100 %-Tastverhältnis zu liefern.Die Gate-Drive-Architektur unterstützt Gate-Drive-Spitzenströme bis zu 1 A Quell- und 2 A Senkstrom. Der Gate-Treiber DRV8329/DRV8329-Q1 von TI kann mit einer einzigen Spannungsversorgung betrieben werden und unterstützt einen weiten Eingangsversorgungsbereich von 4,5 V bis 60 V. Die 6x- und 3x-PWM-Modi des DRV8329/DRV8329-Q1 ermöglichen eine einfache Anbindung an Regler-Schaltungen. Das Bauelement verfügt über einen integrierten präzisen 3,3-V-LDO, der einen externen Regler und eine Referenz für CSA versorgen kann. Die Konfigurationseinstellungen für das Bauelement sind über Hardware-Pins (H/W) konfigurierbar. Die DRV8329/DRV8329-Q1-Bausteine enthalten einen Low-Side-Strommessverstärker, der die Strommessung der Summe der Ströme aller drei Phasen der Treiberstufe ermöglicht.
Ein stromsparender Ruhemodus sorgt für einen niedrigen Ruhestrom, indem die meisten internen Schaltungen abgeschaltet werden. Dieses Bauteil enthält interne Schutzfunktionen für Unterspannungssperre, GVDD-Fehler, MOSFET-Überstrom, MOSFET-Kurzschluss und Übertemperatur. Fehlermeldungen werden über den nFAULT-Pin angezeigt.
Der DRV8329-Q1 ist gemäß AEC-Q100 für Fahrzeuganwendungen zugelassen.
Merkmale
- Gemäß AEC-Q100 für Fahrzeuganwendungen zugelassen:
- -40 °C bis 125 °C, TA Temperaturklasse 1
- 65 V Dreiphasen-Halbbrücken-Gate-Treiber
- Steuert 3 x High-Side- und 3 x Low-Side-n-Kanal-MOSFETs (NMOS) an
- 4,5 V bis 60 V Betriebsspannungsbereich
- Unterstützt 100 % PWM-Tastverhältnis mit Erhaltungsladepumpe
- Bootstrap-basierte Gate-Treiber-Architektur
- 1.000 mA maximaler Spitzen-Quellstrom
- 2.000 mA maximaler Spitzen-Senkstrom
- Integrierter Strommessverstärker mit niedrigem Eingangs-Offset (optimiert für 1 Nebenwiderstand)
- Einstellbare Gain (5 V, 10 V, 20 V, 40 V/V)
- Hardware-Schnittstelle bietet einfache Konfiguration
- Extrem stromsparender Ruhemodus mit <1 uA bei +25 °C
- 4 ns (typ.) Anpassung der Ausbreitungsverzögerung zwischen Phasen
- Unabhängiger Pfad zum Abschalten des Treibers (DRVOFF)
- 65-V-toleranter Wake-Pin (nSLEEP)
- Unterstützt negative Transienten bis zu -10 V auf SHx
- 6 x und 3 x PWM-Modi
- Unterstützt 3,3-V- und 5-V-Logikeingänge
- Präziser LDO (AVDD), 3,3 V ±3 %, 80 mA
- Kompaktes QFN-Gehäuse und Footprints
- Einstellbarer VDS-Überstromschwellenwert über VDSLVL-Pin
- Einstellbare Totzeit über DT-Pin
- Effizientes Systemdesign mit Leistungsblöcken
- Integrierte Schutzfunktionen
- PVDD-Unterspannungsabschaltung (PVDDUV)
- GVDD-Unterspannung (GVDDUV)
- Bootstrap-Unterspannung (BST_UV)
- Überstromschutz (VDS_OCP, SEN_OCP)
- Thermische Abschaltung (OTSD)
- Fehlerbedingungs-Anzeige (nFAULT)
Applikationen
- Bürstenlose DC-Motormodule (BLDC) und PMSM
- Kabellose Garten- und Elektrowerkzeuge, Rasenmäher
- Haushaltsgeräte, Lüfter, und Pumpen
- Servoantriebe
- E-Bikes, E-Scooter und E-Mobilität
- Kabellose Staubsauger
- Drohnen
- Industrie- und Logistikroboter sowie RC-Spielzeug
Blockdiagramm
