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Texas Instruments ISO5852S IGBT-MOSFET-Gatetreiber

Texas Instruments ISO5852S IGBT-MOSFET-Gate-Treiber sind bei Mouser erhältlich und sind verstärkt isolierte 5,7kVRMS-Gate-Treiber für IGBTs und MOSFETs mit 2,5A Quellstrom und 5A Senkstrom. Die Eingangsseite wird von einer einzelnen 2,25V- bis 5,5V-Stromversorgung betrieben. Auf der Ausgangsseite ist ein Stromversorgungsbereich von mindestens 15V bis maximal 30V möglich. Zwei zusätzliche CMOS-Eingänge steuern den Ausgangsstatus des Gate-Treibers. Die kurze Verzögerungszeit von 76ns gewährleistet eine genaue Steuerung des Ausgangsstatus. Zu den typischen Anwendungen gehören isolierte IGBT- und MOSFET-Antriebe in industriellen Motorsteuerungsantrieben und Energieversorgungen, Solar-Wechselrichter, HEV- und EV-Leistungsmodule und Induktionserwärmung.

Merkmale

  • 100kV/µs Minimum Common-Mode Transient Immunity (CMTI) at VCM = 1500V
  • Split outputs to provide 2.5A peak source and 5A peak sink currents
  • 76ns (Typ), 110ns (Max) Short propagation delay
  • 2A Active miller clamp
  • Output short-circuit clamp
  • Soft Turn-Off (STO) during short circuit
  • Fault alarm upon desaturation detection is signaled on FLT and reset through RST
  • Input and Output Under Voltage Lock-Out (UVLO) with Ready (RDY) pin indication
  • Active output pull-down and default low outputs with low supply or floating inputs
  • 2.25V to 5.5V Input supply voltage
  • 15V to 30V Output driver supply voltage
  • CMOS Compatible inputs
  • Rejects input pulses and noise transients shorter than 20ns
  • -40°C to 125°C Ambient operating temperature
  • Surge immunity 12800VPK (according to IEC 61000-4-5)
  • Safety and regulatory certifications
    • 8000VPK VIOTM and 2121VPK VIORM reinforced isolation per DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
    • 5700VRMS Isolation for 1 minute per UL 1577
    • CSA Component acceptance Notice 5A, IEC 60950-1, IEC 60601-1 and IEC 61010-1 end equipment standards
    • CQC Certification per GB4943.1-2011
    • All certifications are planned

Applikationen

  • Isolated IGBT and MOSFET Drives in
    • Industrial motor control drives
    • Industrial power supplies
    • Solar inverters
    • HEV and EV power modules
    • Induction heating

Datasheets

Associated Development Tools

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Die Auswertung der AC- und DC-Leistung des ISO5852S mit einer bereits festgelegten 1nF-Last oder mit einem vom Benutzer installierten IGBT.

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Functional Block Diagram

Blockdiagramm - Texas Instruments ISO5852S IGBT-MOSFET-Gatetreiber
Veröffentlichungsdatum: 2015-11-19 | Aktualisiert: 2025-06-06