Texas Instruments LMG5200 80V-GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe

Die LMG5200 80V-GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe von Texas Instruments bietet eine integrierte Leistungsstufenlösung mit Anreicherungs-Gallium-Nitrid-(GaN)-FETs. Das Bauteil besteht aus zwei 80V-GaN-FETs, die von einem GaN-FET-Treiber mit hoher Frequenz in einer Halbbrücken-Konfiguration angesteuert werden. Die GaN-FETs bieten erhebliche Vorteile für die Leistungsumwandlung, da sie über eine Sperrverzögerung nahe Null und eine sehr kleine Eingangskapazität C_ISS verfügen. Alle Bauteile sind auf einer vollständig bonddrahtlosen Gehäuseplattform mit einer minimalen Anzahl parasitärer Gehäuseelementen montiert. Die TTL-Logik-kompatiblen Eingänge können unabhängig von der V_CC-Spannung Eingangsspannungen bis zu 12 V widerstehen. Das proprietäre Bootstrap-Spannungsklemmverfahren stellt sicher, dass die Gate-Spannungen der Anreicherungs-GaN-FETs innerhalb eines sicheren Betriebsbereichs liegen.