Qorvo UF4C/SC 1.200 V-SiC-FETs der 4. Generation
Die UF4C/SC 1.200 V-SiC-FETs der 4. Gen. von UnitedSiC/Qorvo sind eine Hochleistungs-Baureihe, die branchenführende Gütezahlen liefert. Die UF4C/SC 1.200-V-SiC-FETs der 4. Generation sind ideal für gängige 800-V-Busarchitekturen in integrierten Ladegeräten für Elektrofahrzeuge, Industrie-Batterieladegeräten, Industrie-Netzteilen, Erneuerbaren Energien, Energiespeichern, Schweißmaschinen, UPS und Induktionserwärmungsapplikationen. Die Baureihe der 4. Generation ist in Optionen von 23 mΩ bis 70 mΩ erhältlich und basiert auf einer einzigartigen Kaskodenkonfiguration, bei der ein leistungsstarker SiC-JFET mit einem kaskodenoptimierten Si-MOSFET in einem Gehäuse kombiniert wird, um ein SiC-Bauteil mit Standard-Gate-Drive zu erstellen. Diese Funktion ermöglicht ein flexibles Design, ohne die Gate-Drive-Spannung ändern zu müssen und ermöglicht so einen einfachen Austausch von Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-FETs oder Si-Superjunction-Bauteilen.
Die UF4C/SC 1.200-V-SiC-FETs der 4. Generation von UnitedSiC / Qorvo werden in einem 3-Pin-TO247-3L-Gehäuse und einem 4-Pin-TO-247-4-Gehäuse mit Kelvin-Quellenanschluss angeboten. Mit dem Kelvin-Quellendesign des TO-247-4L-Gehäuses zeichnet sich dieses Bauelement durch schnelles Schalten und ein geringe Sperrverzögerung aus und gewährleistet dabei saubere Gate-Wellenformen. Dieses Bauteil eignet sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und Applikationen, die Standard-Gate-Drives erfordern.
Merkmale
- 1.200 V VDS -Einstufung
- Niedriger RDS (on) von 23 mΩ bis 70 mΩ
- Hervorragende Leistungswerte
- RDS (on) x Bereich
- RDS(on) x Eoss
- RDS(on) x Coss, tr
- RDS(on) x Qg
- Ausgezeichneter Schwellenwert für Rauschverhalten bei Beibehaltung eine echten Schwellenspannung von 5 V
- Sicherer Betrieb mit standardmäßiger Gate-Ansteuerspannung von 0 V bis 12 V oder 15 V
- Funktioniert mit allen Si-IGBT-, Si-FET- und SiC-FET-Treiberspannungen
- Ausgezeichnete Sperrverzögerung
- Ausgezeichnete Leistung der Bodydiode Vf < 2 V)
- Niedrige Gate-Ladung
- Niedrige intrinsische Kapazität
- ESD-geschützt, HBM Klasse 2
- TO247-3L und TO247-4L (Kelvin) Gehäuse
Applikationen
- integriertes Laden
- Industrie-Akkuladegeräte
- PFC in Solartechnik
- Industrienetzteile
- Schweißgeräte
- USV
- Induktionserwärmung
Technische Daten – Diagramm
