Vishay Semiconductors DFN 1006 Gehäuse

Vishay Semiconductors Dioden und Gleichrichter in einem 1006-DFN-Gehäuse bieten eine ausgezeichnete Stabilität, einen niedrigen Ableitstrom und ein geringes Rauschen. Das große portfolio verfügt über eine bessere Verlustleistung und thermische/Leistungsleistung mit platzsparenden Optionen als herkömmliche Lösungen in SOT-Gehäusen. Die DFN 1006 Gehäuse von Vishay sind AEC-Q101-qualifiziert und in Automobilstandard erhältlich.

Merkmale

Kleinsignal-Zener-Dioden
- Extrem kleines unbedrahtetes 1 mm x 0,6 mm x 0,45 mm-Gehäuse
- Oberflächenmontierbares (SMD) Kunststoffgehäuse mit sichtbaren und seitlich beschichteten/benetzbaren Flanken
- Verlustleistung ist besser als SOT-23
- Niedriger Ableitstrom, geringes Rauschen
- Ausgezeichnete Stabilität
- Verfügbar mit AEC-Q101-Qualifizierung
Kleinsignal-Schottky- und Schaltdioden
- Nur 10 % PCB-board-Platzverbrauch im Vergleich zu herkömmlichen SOD/T-Gehäusen
- Besseres Wärme-/Leistungsverhalten als herkömmliche SOD/T-Gehäuse
- Die Lötung kann über eine Standard-Sichtprüfung überprüft werden, keine Röntgenprüfung zur Erfüllung der Automotive-AOI-Anforderungen erforderlich
- AEC-Q101-qualifiziert und im Automobilstandard erhältlich

ESD-Schutzdioden
- Bidirektionaler symmetrischer (BiSy) 2-line im kompakten DFN1110-3A-Gehäuse mit benetzbaren Flanken
- Bidirektionale asymmetrische (Vorspannung) Einzelleitung im kompakten DFN1006-2A-Gehäuse mit seitlich benetzbaren Anschlüssen
- Aufgrund der kurzen Anschlussdrähte und der geringen Größe des DFN1006-2A-Gehäuses ist die LeitungsInduktivität des Bauelements sehr niedrig, so dass schnelle Transienten, wie z. B. ein ESD-Stoß, mit minimalen Über- oder Unterschwingungen abgefangen werden können
- Spart Platz gegenüber Lösungen in SOT-Gehäusen
- Schutz von Hochgeschwindigkeitsdatenleitungen vor Transientenspannungssignalen