Vishay Si77 MOSFETs

Die MOSFETs Si77 von Vishay basieren auf der monolithischen SkyFET®-TrenchFET®-Technologie der dritten Generation und verfügen über integrierte Schottky-Dioden. Diese MOSFETs von Vishay werden zu 100 % gemäß Rg und UIS geprüft, wodurch Zuverlässigkeit und Leistung gewährleistet sind. Die MOSFETs sind gemäß der IEC 61249-2-21-Definition halogenfrei. Diese MOSFETs im PowerPAK®-Gehäuse zeichnen sich durch einen geringen thermischen Widerstand, kompakte Abmessungen und ein schlankes Profil von 1,07 mm aus und eignen sich daher ideal für Applikationen, bei denen Platzbedarf und Wärmemanagement entscheidende Faktoren sind.

Merkmale

  • SkyFET monolithischer TrenchFET Gen III Leistungs-MOSFET und Schottky-Diode 
  • 100 % Rg- und UIS-getestet 
  • Halogenfrei nach IEC 61249-2-21  
  • PowerPAK-Gehäuse mit niedrigem thermischem Widerstand, kleiner Größe und niedrigem Profil von 1,07 mm  

Applikationen

  • Stromversorgung für Notebooks
  • Low-Seite in Vcore, System und Speicher
  • DC/DC-Wandler
  • POL
Veröffentlichungsdatum: 2024-01-04 | Aktualisiert: 2024-01-25