Vishay VEMD5510C und VEMD5510CF Fotodioden
Die VEMD5510C und VEMD5510CF Fotodioden von Vishay Semiconductors wurden entwickelt, um der Nachfrage nach zuverlässiger Signalerfassung in Wearables sowie medizinischen Applikationen und Industrieapplikationen gerecht zu werden. Diese Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Fotodioden enthalten Infrarot-Strahlungs-Unterdrückungsfilter und schwarze Gehäuse zur Verbesserung des Signal-Rausch-Verhältnisses. Sie zeichnen sich durch kurze Schaltzeiten und eine niedrige Kapazität in einem kompakten, oberflächenmontierbaren Top-View-Gehäuse aus.Diese Fotodioden verfügen über eine große strahlungsempfindliche Fläche von 7,5 mm2, Empfindlichkeitsbereiche von 440 nm bis 700 nm (VEMD5510C) bzw. 440 nm bis 620 nm (VEMD5510CF) mit Fotoströmen von 0,6 μA bzw. 0,25 μA. Die VEMD5510C und VEMD5510CF verfügen außerdem über einen On-Chip-Unterdrückungsfilter, um Störungen durch nicht sichtbares Licht zu eliminieren, während ihre schwarzen Gehäuse eine unerwünschte seitliche Beleuchtung blockieren. Dies führt zu einer spektralen Empfindlichkeit von weniger als 5 % für Wellenlängen von mehr als 800 nm für die VEMD5510C bzw. von mehr als 700 nm für die VEMD5510CF, was nahezu dem des menschlichen Auges entspricht.
Die VEMD5510C und VEMD5510CF verfügen über einen Empfindlichkeits-Halbwertwinkel von ±65°, einen Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +100 °C und eine Spitzenempfindlichkeit von 550 nm bzw. 540 nm Wellenlänge. Diese Fotodioden sind RoHS-konform, halogenfrei und Vishay Semiconductors Green und erfüllen die Anforderungen des Standards J-STD-020 für Feuchteempfindlichkeit (MSL) 4 für eine Lebensdauer von 72 Stunden.
Die VEMD5510C und VEMD5510CF Fotodioden sind in einem kleinen Gehäuse von 5 mm x 4 mm mit einem niedrigen Profil von 0,9 mm erhältlich und ermöglichen flache Sensor-Designs.
Merkmale
- Strahlungsempfindliche Fläche: 7,5 mm2
- Hohe Lichtempfindlichkeit
- Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit
- VEMD5510C: 550 nm
- VEMD5510CF: 540 nm
- Bereich der spektralen Bandbreite:
- VEMD5510C: 440 nm bis 700 nm
- VEMD5510CF: 440 nm bis 620 nm
- Niedriges Profil von 9,0 mm
- Anstiegs- und Abfallzeit von bis zu 5 ns
- Unterdrückungsfilter für Infrarot-Strahlung
- Empfindlichkeits-Halbwertwinkel: ±65°
- Hervorragende Fotostrom-Linearität
- Schnelle Anschwingzeit
- Lebensdauer: 72 h, MSL 4, gemäß J-STD-020
- Gehäusetyp: Oberflächenmontage
- Gehäuseform: Top-View
- Abmessung: 5,0 mm x 4,0 mm
- RoHS-konform, bleifrei, halogenfrei
Applikationen
- Wearables
- Fitnesstracker
- Smart-Uhren
- Medizintechnik
- Pulsoximetriegeräte
- Blutanalyse
- Automotive
- Regen-Licht-Tunnel-Sensor
- Solar-Sensor
Übersicht
