Wolfspeed GaN-HEMTs
Die Cree GaN- (Galliumnitrid) HEMTs (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren. GaN hat überlegene Eigenschaften im Vergleich zu Silizium oder Galliumarsenid, einschließlich höherer Durchlassspannung, höherer gesättigter Elektronendriftgeschwindigkeit und höherer Wärmeleitfähigkeit.
For design flexibility, the Wolfspeed GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.
Merkmale
- High efficiency
- High gain
- Wide bandwidth capabilities
- High breakdown voltage
- High saturated electron drift velocity
- High thermal conductivity
Applikationen
- 2-Way private radio
- Broadband amplifiers
- Cellular infrastructure
- Test instrumentation
- Class A and AB linear amplifiers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, and CDMA waveforms
- Satellite communications
- PTP communications links
- Marine radar
- Pleasure craft radar
- Port vessel traffic services
- High-efficiency amplifiers
Comparison Chart
