EPC2104

EPC
65-EPC2104
EPC2104

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

Lebenszyklus:
Neu bei Mouser
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Auf Bestellung:
500
erwartet ab 28.07.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
18
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 8.78 CHF 8.78
CHF 6.06 CHF 60.60
CHF 4.67 CHF 467.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 500)
CHF 4.47 CHF 2’235.00
CHF 4.36 CHF 4’360.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
Die
2 Channel
100 V
30 A
6.8 mOhms
- 4 V, 6 V
2.5 V
6.8 nC, 6.8 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 2 N-Channel
Typ: Half-Bridge
Gewicht pro Stück: 23 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
USHTS:
8541290040
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.