GaN FETs

 GaN FETs
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Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1004 41Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 3.6 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 27.6 W
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 700Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 676Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 700Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8074 650V 17A FET 1’924Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FETs SOT8072 100V 60A FET 1’408Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Qorvo GaN FETs 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl 11Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 660Auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT 309Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440223 N-Channel 125 V 18 A - 3.8 V - 40 C + 150 C 150 W
Qorvo GaN FETs DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr 22Auf Lager
100erwartet ab 11.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

Qorvo GaN FETs DC-3.6GHz GaN 90W 48V 17Auf Lager
100erwartet ab 18.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN 25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt 30Auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 3 A 410 mOhms - 3 V + 225 C
Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1011 80Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1.46 A - 7 V, 2 V - 40 C + 85 C 14.7 W
Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1014 80Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-8 2 Channel 145 V 1 A - 8 V, 2 V - 40 C + 85 C 15.8 W
Qorvo GaN FETs 1-1.5 GHz, 300W, NI-650 3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

NI-650 33 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 285 W
Qorvo GaN FETs DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr 22Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI780-2 N-Channel 145 V 70 A - 40 C + 85 C 714 W
Qorvo GaN FETs 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr 29Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 693Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS 3’081Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 150 mOhms - 10 V, + 7 V 1.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS 2’537Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 150 mOhms - 10 V, + 7 V 1.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS 2’083Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 150 mOhms - 10 V, + 7 V 1.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless 15Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

NI-200
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
20Auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 168Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT N-Channel 84 V 7 A - 3.8 V - 40 C + 150 C 21.6 W