EPC2110

EPC
65-EPC2110
EPC2110

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35

Lebenszyklus:
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CHF 0.824 CHF 4’120.00

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EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
BGA
N - Channel
2 Channel
120 V
3.4 A
110 mOhms
- 4 V, 6 V
2.5 V
0.8 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Konfiguration: Dual
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 2 N-Channel
Gewicht pro Stück: 3 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
USHTS:
8541290040
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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