EPC2302

EPC
65-EPC2302
EPC2302

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Lebenszyklus:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 6.80 CHF 6.80
CHF 4.63 CHF 46.30
CHF 3.39 CHF 339.00
CHF 3.34 CHF 1’670.00
CHF 3.06 CHF 3’060.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 2.86 CHF 8’580.00
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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
100 V
133 A
1.8 mOhms
- 4 V, 6 V
2.5 V
23 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Konfiguration: Single
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 31.300 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2302 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is engineered for high-frequency DC-DC applications to/from 40V to 60V and 48V BLDC motor drives. This eGaN® FET features 1.8mΩ maximum drain-source on resistance RDS(on) and 100V drain-source breakdown voltage (continuous) VDS in a low inductance 3mm x 5mm QFN package. The package has side-wettable flanks and an exposed top for excellent thermal management. The thermal resistance to the case top is ~0.2°C/W, offering excellent thermal behavior and easy cooling. The EPC2302 enhancement-mode power transistor from EPC enables efficient operation in many topologies while improving efficiency and saving space.