EPC2304

EPC
65-EPC2304
EPC2304

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN

Lebenszyklus:
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CHF 7.17 CHF 7.17
CHF 4.90 CHF 49.00
CHF 3.61 CHF 361.00
CHF 3.59 CHF 1’795.00
CHF 3.31 CHF 3’310.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 3.04 CHF 9’120.00

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
EPC
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
FCQFN-7
N-Channel
1 Channel
200 V
133 A
5 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
21 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marke: EPC
Konfiguration: Single
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Gewicht pro Stück: 31.500 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2304 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is designed to handle tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous, as well as those where on-state losses dominate. This eGaN® FET offers exceptionally high electron mobility and low temperature coefficient, allowing low drain-source on resistance RDS(on) of 3.5mΩ typical and 5mΩ maximum. The EPC2304's lateral device structure and majority carrier diode provide exceptionally low total gate charge (QG) and zero reverse recovery (QRR) losses. This 200VDS power transistor from EPC comes in an ultra-small 3mm x 5mm QFN package for higher power density.